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Modélisation de transistor de puissance en technologie GaN : conception d'un amplificateur de type Doherty pour les émetteurs à puissance adaptative

(Document en Français)

Accès au(x) document(s)

Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
  • Accéder au(x) document(s) :
    • https://cdn.unilim.fr/files/theses-doctorat/2006LIMO0038.pdf
    Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Informations sur les contributeurs

Auteur
Lagarde Cyril
Date de soutenance
29-09-2006

Directeur(s) de thèse
Bouysse Philippe - Nébus Jean-Michel
Président du jury
QUERE Raymond
Rapporteurs
WANG Yide - DUVANAUD Claude
Membres du jury
FORESTIER Stéphane - NEBUS Jean-Michel - BOUYSSE Philippe - MALLET Alain - PIOTROWICZ Stéphane

Laboratoire
XLIM - UMR CNRS 7252
Ecole doctorale
École doctorale Sciences - Technologie - Santé - STS (Limoges ; ...-2009)
Etablissement de soutenance
Limoges

Informations générales

Discipline
Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique
Classification
Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres
amplificateurs, modèles et modélisation, transistors, semiconducteurs, électronique de puissance, nitrure de Gallium (GaN)
Mots-clés
Amplificateurs de puissance - Thèses et écrits académiques,
Transistors de puissance - Thèses et écrits académiques,
Nitrure de gallium - Thèses et écrits académiques
Résumé :

L'avènement des technologies de transistors de puissance sur matériaux "grand gap" tels que le Nitrure de Gallium (GaN) permet d'envisager un saut technologique majeur pour la génération de puissance à l'état solide. Cette nouvelle technologie présente des possibilités intéressantes pour des amplificateurs de puissance micro-ondes, en termes de température de fonctionnement élevée, de densités de puissance élevées et de tensions de claquage élevées. Dans une première partie, ce travail concerne le développement d'un nouveau modèle non linéaire électrothermique tabulaire comprenant les effets de pièges sur un transistor HEMT AlGaN/GaN. Ce modèle a été alors utilisé, dans la deuxième partie de cette thèse, pour concevoir un amplificateur de puissance basé sur le principe Doherty. Cependant les contraintes de linéarité et de rendement imposées dans les communications spatiales constituent, encore à l'heure actuelle, un obstacle à l'utilisation de ces technologies. Afin de traiter ces contraintes, nous avons proposé et conçu un nouvel amplificateur Doherty ayant une architecture symétrique basée sur trois transistors HEMTs GaN. Les résultats expérimentaux ont montré des possibilités intéressantes de cette nouvelle structure Doherty en termes de rendement et de linéarité.

Informations techniques

Type de contenu
Text
Format
PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine
Ressource locale
Identifiant
unilim-ori-17893
Numéro national
2006LIMO0038

Pour citer cette thèse

Lagarde Cyril, Modélisation de transistor de puissance en technologie GaN : conception d'un amplificateur de type Doherty pour les émetteurs à puissance adaptative, thèse de doctorat, Limoges, Université de Limoges, 2006. Disponible sur https://aurore.unilim.fr/ori-oai-search/notice/view/unilim-ori-17893