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Bousbia Hind
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Analyse et développement de la caractérisation en puissance, rendement et linéarité de transistors de puissance en mode impulsionnel
Analyse et développement de la caractérisation en puissance, rendement et linéarité de transistors de puissance en mode impulsionnel
année de soutenance
:
2006
auteur
:
Bousbia Hind
laboratoire
:
XLIM
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Il est aujourd'hui admis que les semi-conducteurs à large bande interdite vont permettre de repousser les frontières atteintes à ce jour dans le domaine de la génération de puissance hyperfréquence. L'analyse des principaux critères technologiques (physiques et électriques) des matériaux grands gap, ...
https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/f409eab6-d21e-443d-9d6b-b14970380c32/blobholder:0/2006LIMO0063.pdf
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