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Thèses de doctorat
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Bouslama Mohamed
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Approche duale de modélisation TCAD et de caractérisations électriques approfondies pour la détermination de la signature et de la localisation des pièges dans les HEMT GaN sur substrat SiC
Approche duale de modélisation TCAD et de caractérisations électriques approfondies pour la détermination de la signature et de la localisation des pièges dans les HEMT GaN sur substrat SiC
année de soutenance
:
2020
auteur
:
Bouslama Mohamed
laboratoire
:
XLIM
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Les HEMT à base du GaN ont déjà démontré leur potentialité pour toutes les applications forte puissance et haute fréquence. Cependant, cette technologie souffre de limitations dues notamment à un mécanisme complexe de piégeage/dépiégeage de charges qui se produit dans le composant et reste encore au ...
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03149025
https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/3066f1df-533f-4a81-9a1f-52fb31ae749c/blobholder:0/2020LIMO0076.pdf
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