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Méthode d'encapsulation optimale d'une technologie HEMT GaN pour la conception d'amplificateurs large bande à forte puissance et haut rendement destinés aux applications radars en bande S
Méthode d'encapsulation optimale d'une technologie HEMT GaN pour la conception d'amplificateurs large bande à forte puissance et haut rendement destinés aux applications radars en bande S
année de soutenance
:
2011
auteur
:
Chéron Jérôme
laboratoire
:
XLIM
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Les applications radars requièrent aujourd'hui des performances très importantes en termes de puissance émise, de rendement et de bande passante, afin de réduire les coûts et l'encombrement des systèmes radars. Le transistor HEMT GaN est la technologie de puissance qui répond le plus favorablement a ...
https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/b9607ad9-db5a-4302-8d68-2ee8d6236242/blobholder:0/2011LIMO4010.pdf
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