Fiche descriptive


Contribution à la mesure temporelle et à la simulation en équilibrage harmonique de la stabilité d’impulsion à impulsion de transistors en technologie GaN

(Document en Français)

Thèse de doctorat

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Informations sur les contributeurs

Auteur
Ben Sassi Marwen
Date de soutenance
24-03-2021

Directeur(s) de thèse
Barataud Denis - Neveux Guillaume
Président du jury
Decroze Cyril Nicolas
Rapporteurs
Collantes Juan-Mari - Bergeault Eric
Membres du jury
Barataud Denis - Neveux Guillaume - Decroze Cyril Nicolas - Ayad Mohammed - Saleh Hassan - Stanislawiak Michel

Laboratoire
XLIM - UMR CNRS 7252
Ecole doctorale
École doctorale Sciences et Ingénierie des Systèmes, Mathématiques, Informatique (Limoges ; 2018-2022)
Etablissement de soutenance
Limoges

Informations générales

Discipline
Electronique des Hautes Fréquences, Photonique et Systèmes
Classification
Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres
Phénomène de Gibbs, Temps de montée/descente, Lanczos/Fejér, Pulse to Pulse, Applications radar, GaN, 2-tons Harmonic Balance Simulation
Mots-clés
Transistors à effet de champ à dopage modulé,
Nitrure de gallium,
Modulation d'impulsions en durée - Simulation, Méthodes de,
Stabilité de fréquence - Tests
Résumé :

Ce travail de thèse a permis de décrire, pour la première fois à notre connaissance, une comparaison des performances Pulse à Pulse (P2P) d'un HEMTAlGaN/GaN obtenue, expérimentalement d'une part grâce à un système de caractérisation entièrement étalonné et d'autre part, grâce à une simulation Harmonic Balance (HB) 2tons d'un modèle fonderie du transistor. Les mesures et les simulations HB permettent l'extraction simultanée et cohérente, d'une part, des enveloppes complexes des tensions et courants hyperfréquences (RF) et, d'autre part, du courant de drain Basse Fréquence (BF) généré par les non-linéarités des composants mesurés ou de leurs modèles électrothermiques simulés. Les enveloppes complexes de tension et de courant aux deux ports des dispositifs sous test (DST) et de la tension et du courant (BF) de drain ont été simultanément mesurées/simulées avec une rafale radar irrégulière périodique composée d'impulsions transitoires ultra courtes et en utilisant les mêmes rafales radar dont, la largeur d’impulsion t et les temps de montée/descente ont été modifiés. L’originalité majeure de ce travail réside dans le fait que les formes d'onde RF générées dans le domaine temporel utilisées par les sources du banc de test ou celles des simulation sont été corrigées pour réduire considérablement les phénomènes de Gibbs.Les facteurs de Lanczos/Fejér ont été implémentés dans des simulateurs. En revanche, à notre connaissance, c'est la première fois qu'ils sont directement utilisés pour générer un signal utile dans un système de caractérisation micro-ondes et dans une simulation HB 2tons.

Informations techniques

Type de contenu
Text
Format
PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine
STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant
2021LIMO0018
Numéro national
2021LIMO0018

Pour citer cette thèse

Ben Sassi Marwen, Contribution à la mesure temporelle et à la simulation en équilibrage harmonique de la stabilité d’impulsion à impulsion de transistors en technologie GaN, thèse de doctorat, Limoges, Université de Limoges, 2021. Disponible sur https://aurore.unilim.fr/ori-oai-search/notice/view/2021LIMO0018