Caractérisation de transistors HEMT en utilisant une méthode innovante de mesure de la linéarité

Discipline

Sciences et ingénierie pour l’information

Classification

Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres

Caractérisation, Linéarité, Load-Pull, Pae, Puissance, Tuner, USMT

Mots-clés

Transistors à effet de champ à dopage modulé,

Nitrure de gallium

La linéarité des composants et circuits RF est un paramètre majeur de la qualité d’une liaison de télécommunications, notamment pour les applications de la 5G. Le but de mon travail est de proposer une technique de mesure sous pointe de la linéarité, adaptable sur un banc de load-pull grâce à l’utilisation d’un instrument de type NVNA. Cette thèse explore l’utilisation d’une méthode innovante de caractérisation de la linéarité des amplificateurs de puissance pour des mesures de load pull passives et actives. Le banc permet de mesurer les différentes figures de mérite classiques (gain, puissance, rendement en puissance ajoutée), ainsi que la linéarité avec un signal complexe de type USMT (Unequally Spaced Multi-Tons). L’objectif consiste à tracer des contours permettant de cartographier les zones optimales de fonctionnement des transistors en changeant leur impédance de charge. Cette méthode est unique à l’heure actuelle dans sa configuration et sa rapidité de mesure. Les caractérisations ont été effectuées sur des transistors HEMT GaN de la société UMS, en vue d’une sélection des meilleures filières de composants pour une conception optimale d’amplificateurs de puissance.