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Modélisation electrothermique non linéaire de transistors de puissance LDMOS : Application à la détermination de règles d'échelle

(Document en Français)

Accès au(x) document(s)

Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
  • Accéder au(x) document(s) :
    • https://cdn.unilim.fr/files/theses-doctorat/2005LIMO0005.pdf
    Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Informations sur les contributeurs

Auteur
Guyonnet Mickaël
Date de soutenance
25-03-2005

Directeur(s) de thèse
Quéré Raymond
Président du jury
JARRY Bernard
Rapporteurs
DAMBRINE Gilles - Collantes Juan-Mari
Membres du jury
BOUISSE Gérard - BERTRAM Pierre - QUERE Raymond - SOMMET Raphaël - TEYSSIER Jean-Pierre

Laboratoire
IRCOM - Institut de Recherche en Communications Optiques et Microonde - UMR 6615
Ecole doctorale
École doctorale Sciences - Technologie - Santé - STS (Limoges ; ...-2009)
Etablissement de soutenance
Limoges

Informations générales

Discipline
Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique
Classification
Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres
simulations, modèles et modélisation, transistors, électronique de puissance
Mots-clés
Transistors de puissance - Thèses et écrits académiques,
Simulation, Méthodes de - Thèses et écrits académiques
Résumé :

L'accroissement du marché des télécommunications demande des amplificateurs de puissance pour station de base à bas coût, linéaire et possédant un rendement élevé. Les puissances requises pour ces amplificateurs peuvent dépasser les 120 W pour une tension d'alimentation inférieure à 30Y. La technologie LDMOS-Silicium possède tous les atouts requis pour satisfaire le besoin. A cela s'ajoute le besoin de modèle Electrothermique non-linéaire que l'on intègre dans un simulateur de circuit Plusieurs types de modèles électrothermiques ont, à ce jour, été développés. Cependant aucun n'inclut un véritable comportement thermique primordial pour la prédiction du comportement du transistor. Dans cette thèse nous proposons une nouvelle approche basée sur la description électrique et thermique des composants intrinsèques du modèle, ce même modèle étant couplé à un second modèle thermique. La description du comportement électrique de chaque composant intrinsèque est faite avec des splines Tri-cubiques. Le circuit thermique est issu de simulations thermiques (simulateur Ansys), réduites a raide de la méthode des vecteurs de Ritz proposé par l'IRCOM. Partant d'un modèle Electrothermique initial, nous définissons des règles de scaling permettant l'obtention de modèles de transistors de plus fort développement sans avoir à re-exécuter tout le process.

Informations techniques

Type de contenu
Text
Format
PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine
Ressource locale
Identifiant
unilim-ori-14823
Numéro national
2005LIMO0005

Pour citer cette thèse

Guyonnet Mickaël, Modélisation electrothermique non linéaire de transistors de puissance LDMOS : Application à la détermination de règles d'échelle, thèse de doctorat, Limoges, Université de Limoges, 2005. Disponible sur https://aurore.unilim.fr/ori-oai-search/notice/view/unilim-ori-14823