Mesures de formes d'ondes temporelles en impulsions : application à la caractérisation de transistors micro-ondes de forte puissance

Discipline

Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique

Classification

Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres

dispositifs microondes, microondes, transistors, semiconducteurs

Mots-clés

Transistors de puissance - Thèses et écrits académiques,

Systèmes de communication à microondes - Thèses et écrits académiques,

Nitrure de gallium - Thèses et écrits académiques

Ces travaux traitent de la mesure de formes d'ondes temporelles en mode continu et en impulsions, avec comme application la caractérisation des transistors de puissance aux fréquences micro-ondes. Un banc de mesure a été développé autour du Large Signal Network Analyser. Une caractéristique importante de ce banc est la méthode de couplage, qui a été améliorée à partir d'une technique localisée. Elle permet de changer les caractéristiques habituelles de couplage des signaux micro-ondes pour introduire un minimum de pertes dans le chemin de puissance micro-onde. Elle permet de mesurer jusqu'à 20 GHz. Dans un deuxième temps, l'ensemble des mesures du banc a été étendu en impulsions. Une méthode pour mesurer dans ce mode a été mise en place pour conserver toute la dynamique de notre système, pour des rapports cycliques descendant à 0.0001. Dans une dernière partie, l'intérêt de mesurer les formes d'ondes temporelles avec les performances électriques des transistors de puissance est d´emontré, pour observer les zones limites d'utilisation des transistors en tension et en courant. Les capacités du banc de mesures à caractériser des composants GaN de puissance ont été prouvées, avec un HEMT AlGaN/GaN Tiger mesuré à 20 W en impulsions à 2 GHz.