Contribution à l'étude de l'amplification de puissance en technologie GaN par la technique de suivi d'enveloppe

Discipline

Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique

Classification

Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres

amplificateurs, microondes, électronique de puissance, nitrure de Gallium (GaN)

Mots-clés

Transistors à effet de champ à dopage modulé - Thèses et écrits académiques,

Amplificateurs de puissance - Thèses et écrits académiques,

Convertisseurs continu-continu - Thèses et écrits académiques,

Nitrure de gallium - Thèses et écrits académiques

Les travaux de cette thèse concernent l'étude de l'amplification de puissance micro-onde en technologie GaN. Un descriptif succinct des principales propriétés de ce matériau est réalisé afin de justifier le choix d'un tel candidat pour les applications de puissance hyperfréquences. L'étape suivante était de caractériser et extraire le modèle non-linéaire d'un transistor GaN. Ce modèle a servi de cellule de base pour la simulation d'un amplificateur et d'un modulateur de polarisation. L'association de ces deux fonctions nous a permis d'appliquer et d'étudier le principe de suivi d'enveloppe en bande L et de montrer des tendances importantes. Dans un second temps, une validation expérimentale en bande S a été faite en utilisant un amplificateur réalisé et un système de mesure de laboratoire. L'amélioration du rendement de l'amplificateur RF par cette technique est constatée et la linéarisation est nécessaire afin d'améliorer la linéarité.