Caractérisation et modélisation de transistors HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN pour l'amplification de puissance en radio-fréquences

Discipline

Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique

Classification

Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres

radiofréquences, amplificateurs, transistors, nitrure de Gallium (GaN), transistors HEMT

Mots-clés

Transistors - Thèses et écrits académiques,

Amplificateurs de puissance - Thèses et écrits académiques,

Nitrure de gallium - Thèses et écrits académiques

Ce document traite de la caractérisation de composants HEMT à base de GaN en vue de leur modélisation. Une caractérisation exhaustive des transistors à base d'InalN/GaN et AlGaN/GaN est réalisée. Une importance particulière est donnée aux méthodes de caractérisation thermique, avec l'utilisation de la méthode 3ω pour la mesure de l'impédance thermique. Une étude des facteur d'échelle du modèle linéaire est également abordée. Le modèle non-linéaire présenté est développé afin d'élargir son champ d'application à l'amplification de puissance et à la commutation. Enfin, il est utilisé pour la réalisation du premier amplificateur de puissance utilisant la technologie InAlN en bande Ka.