Modélisation électrothermique comportementale d'amplicateurs de puissance microondes pour les applications Radars à bande étroite

Discipline

Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique

Classification

Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres

amplificateurs, radars, Volterra (équations), électronique de puissance, modélisation comportementale

Mots-clés

Bande X - Thèses et écrits académiques,

Radar - Thèses et écrits académiques,

Amplificateurs de puissance - Effets de la lumière - Thèses et écrits académiques,

Amplificateurs microondes - Thèses et écrits académiques,

Amplificateurs haute fréquence - Thèses et écrits académiques

Ce travail de thèse concerne le développement d'un modèle électrothermique comportemental d'amplificateur de puissance RF prenant en compte l'effet load-pull pour des applications de radar à bande étroite. Une extension des paramètres S fort signal est proposée pour modéliser des fortes conditions de désadaptations en présence des effets de mémoire haute fréquence et des effets thermiques. Le modèle combine une cellule électrique basé sur les paramètres S fort signal avec une cellule thermique basée sur un modèle thermique réduit. Le modèle a été implémenté dans l'environnement de simulation système Scilab/Scicos. L'identification du modèle à partir de mesures load-pull pulsées isothermes et de simulation thermique tridimensionelle d'un amplificateur de puissance de type HBT AsGa/GAInP fonctionnant en bande X est présentée. Elles ont permis de démontrer les capacités du modèles à reproduire les distorsions induites sur le signal électrique et la température au sein de l'amplificateur en présence fortes désadaptions de l'impédance de sortie.