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Modèle prédictif de transistor HEMT pour la simulation précise de l'intermodulation à très bas niveau de puissance et aux hautes fréquences : évaluation des performances en linéarité de différentes filières technologiques pHEMT AsGa

(Document en Français)

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Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
  • Accéder au(x) document(s) :
    • https://cdn.unilim.fr/files/theses-doctorat/2007LIMO4007.pdf
    Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Informations sur les contributeurs

Auteur
Lhortolary Julien
Date de soutenance
15-01-2007

Directeur(s) de thèse
Campovecchio Michel
Président du jury
QUERE Raymond
Rapporteurs
DUVANAUD Claude - GAQUIERE Christophe
Membres du jury
CAMIADE Marc - CAMPOVECCHIO Michel - OBREGON Juan - CHARBONNIAUD Christophe - REVEYRAND Thibault - NEBUS Jean-Michel

Laboratoire
XLIM - UMR CNRS 7252
Ecole doctorale
École doctorale Sciences - Technologie - Santé - STS (Limoges ; ...-2009)
Etablissement de soutenance
Limoges

Informations générales

Discipline
Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique
Classification
Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres
amplificateurs, microondes, transistors, modulateurs et modulation (électronique)
Résumé :

Aujourd'hui, la conception d'amplificateur de puissance intégrés hautes fréquences à forte linéarité, fonctionnant avec un fort recul de puissance par rapport à la puissance de saturation, est devenue un enjeu majeur pour les applications de télécommunications modernes. Malheureusement, aux hautes fréquences et pour de faibles puissances de sortie, la plupart des modèles de transistor HEMT actuels engendrent des simulations erronées. d'intermodulation car leurs non-linéarités sont issues, soit de mesures non pulsées de paramètres S en un point de polarisation DC donné, soit de mesures RF basses fréquences. Dans ce manuscrit, nous proposons une méthode de modélisation de transistor HEMT basée sur des mesures I/V pulsées et de paramètres S pulsées permettant la prédiction précise de l'IM3 aux hautes fréquences et pour de faibles puissances de sortie. Une étude approfondie de la génération de l'IM3 aura aussi permis de mettre en avant les phénomènes d'interactions complexes existants entre les différents éléments non-linéaires intrinsèques d'un transistor de type HEMT et notamment le rôle prépondérant de la capacité Cgd sur les mécanismes de génération de l'IM3. Finalement, une étude comparative détaillée de 6 filières de transistors pHEMT AsGa, issues de 3 fonderies différentes, basée sur des mesures load-pull 2 tons à 10GHz aura permis de sélectionner de deux filières de transistors (PPH15 et PP15-20) pour la réalisation d'applications de télécommunications fortement linéaires en bande Ku.

Informations techniques

Type de contenu
Text
Format
PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine
Ressource locale
Identifiant
unilim-ori-53745
Numéro national
2007LIMO4007

Pour citer cette thèse

Lhortolary Julien, Modèle prédictif de transistor HEMT pour la simulation précise de l'intermodulation à très bas niveau de puissance et aux hautes fréquences : évaluation des performances en linéarité de différentes filières technologiques pHEMT AsGa, thèse de doctorat, Limoges, Université de Limoges, 2007. Disponible sur https://aurore.unilim.fr/ori-oai-search/notice/view/unilim-ori-53745