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Caractérisation et modélisation des pièges par des mesures de dispersion basse-fréquence dans les technologies HEMT InAIN/GaN pour l'amplification de puissance en gamme millimétrique

(Document en Français)

Accès au(x) document(s)

Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
  • Accéder au(x) document(s) :
    • https://www.theses.fr/2016LIMO0033/abes
    • https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01356383
    • https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/c82cac59-f55e-4574-a5fa-fb10c7682ec1/blobholder:0/2016LIMO0033.pdf
    Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Informations sur les contributeurs

Auteur
Potier Clément
Date de soutenance
01-02-2016

Directeur(s) de thèse
Campovecchio Michel - Philippon-Martin Audrey
Président du jury
Quéré Raymond
Rapporteurs
Collantes Juan-Mari - Gaquière Christophe
Membres du jury
Campovecchio Michel - Philippon-Martin Audrey - Floriot Didier - Jardel Olivier - Piotrowicz Stéphane

Laboratoire
XLIM - UMR CNRS 7252
Ecole doctorale
École doctorale Sciences et ingénierie pour l'information, mathématiques (Limoges ; 2009-2018)
Etablissement de soutenance
Limoges

Informations générales

Discipline
Electronique des hautes fréquences, photonique et systèmes
Classification
Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres
AlGaN, InAlN, GaN, HEMT, Bande Ka, Effets de pièges, Modélisation, Caractérisation, Dispersion basse fréquence, Conception MMIC
Mots-clés
Amplificateurs haute fréquence,
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Résumé :

Les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs) en Nitrure de Gallium (GaN) s’affirment aujourd’hui comme une technologie essentielle à l’amplification de puissance à haute fréquence. Les HEMTs GaN étudiées et développées reposent essentiellement sur une hétérostructure AlGaN/GaN mais une alternative à base d’une barrière composée en InAlN, réduisant les contraintes sur les mailles cristallographiques de l’ensemble, est étudiée par certains laboratoires. Ce manuscrit de thèse rapporte une étude des potentialités de la filière HEMT InAlN/GaN développée au III-V Lab, en s’intéressant tout particulièrement aux effets de pièges induits par des défauts présents au sein de la structure. Une méthode de détection de ces défauts est proposée, basée sur la mesure de paramètres [S] en basse fréquence. Un modèle de HEMT InAlN/GaN électrothermique comprenant la contribution des effets de pièges est rapporté et sert de base à la conception d’un amplificateur de puissance en technologie MMIC, fonctionnant en bande Ka, présenté au dernier chapitre.

Informations techniques

Type de contenu
Text
Format
PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine
STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant
2016LIMO0033
Numéro national
2016LIMO0033

Pour citer cette thèse

Potier Clément, Caractérisation et modélisation des pièges par des mesures de dispersion basse-fréquence dans les technologies HEMT InAIN/GaN pour l'amplification de puissance en gamme millimétrique, thèse de doctorat, Limoges, Université de Limoges, 2016. Disponible sur https://aurore.unilim.fr/ori-oai-search/notice/view/2016LIMO0033