Contribution au développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de très forte puissance en bandes L et S pour applications de télécommunications civiles et radar

Discipline

Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique

Classification

Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres

amplificateurs, modèles et modélisation, radars, transistors, électronique de puissance

Mots-clés

Amplificateurs de puissance - Thèses et écrits académiques

Ce travail rentre dans le contexte du développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de fortes puissances. Par rapport aux travaux déjà effectués sur ce type de composants, la nouveauté réside dans les fortes tensions de fonctionnement. Les caractérisations des phénomènes d'avalanche et des effets fort courant ont donc été nécessaires. Les étapes de caractérisation ont aussi porté sur les aspects thermique et leur impact sur les performances statiques et hyperfréquence. Les modèles de quelques topologies de composants de cette filière ont été extraits et ont permis de réaliser des investigations sur la linéarité de ces composants. L'aboutissement de cette thèse est, à partir de ces modèles, la réalisation d'un amplificateur de puissance fonctionnant en bande L avec lors de la conception un objectif quant aux performances en rendement et linéarité.