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Caractérisation et modélisation de transistors HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN pour l'amplification de puissance en radio-fréquences

Caractérisation et modélisation de transistors HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN pour l'amplification de puissance en radio-fréquences Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Callet Guillaume
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document traite de la caractérisation de composants HEMT à base de GaN en vue de leur modélisation. Une caractérisation exhaustive des transistors à base d'InalN/GaN et AlGaN/GaN est réalisée. Une importance particulière est donnée aux méthodes de caractérisation thermique, avec l'utilisation de ...
  • http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/3c0fde17-3720-49cd-9824-bd071826245e/blobholder:0/2011LIMO4033.pdf
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