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Caractérisation et modélisation de transistors HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN pour l'amplification de puissance en radio-fréquences
Caractérisation et modélisation de transistors HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN pour l'amplification de puissance en radio-fréquences
année de soutenance
:
2011
auteur
:
Callet Guillaume
laboratoire
:
XLIM
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Ce document traite de la caractérisation de composants HEMT à base de GaN en vue de leur modélisation. Une caractérisation exhaustive des transistors à base d'InalN/GaN et AlGaN/GaN est réalisée. Une importance particulière est donnée aux méthodes de caractérisation thermique, avec l'utilisation de ...
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