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Thèses de doctorat
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Heckmann Sylvain
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Contribution au développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de très forte puissance en bandes L et S pour applications de télécommunications civiles et radar
Contribution au développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de très forte puissance en bandes L et S pour applications de télécommunications civiles et radar
année de soutenance
:
2003
auteur
:
Heckmann Sylvain
laboratoire
:
Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Ce travail rentre dans le contexte du développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de fortes puissances. Par rapport aux travaux déjà effectués sur ce type de composants, la nouveauté réside dans les fortes tensions de fonctionnement. Les caractérisations des phénomènes d'a ...
https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/a149f671-c136-482d-9b2e-893a745a0815/blobholder:0/2003LIMO0029.pdf
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