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Thèses de doctorat
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Kahil Si Abed Karim
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Contribution à la compréhension des mécanismes expliquant et limitant la linéarité des technologies à base de HEMT Nitrure de Gallium (GaN)
Contribution à la compréhension des mécanismes expliquant et limitant la linéarité des technologies à base de HEMT Nitrure de Gallium (GaN)
année de soutenance
:
2017
auteur
:
Kahil Si Abed Karim
laboratoire
:
XLIM
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Les travaux de thèse visent à optimiser la linéarité des HEMT GaN et intervenir dans la mise en oeuvre d’un banc load-pull multi-tons (MTLP). L’optimisation repose sur la simulation électrique d’un modèle du transistor et la quantification des effets des non-linéarités du modèle, les effets des para ...
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