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Par auteur = Kahil Si Abed Karim
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Contribution à la compréhension des mécanismes expliquant et limitant la linéarité des technologies à base de HEMT Nitrure de Gallium (GaN)

Contribution à la compréhension des mécanismes expliquant et limitant la linéarité des technologies à base de HEMT Nitrure de Gallium (GaN) Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2017
auteur : Kahil Si Abed Karim
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les travaux de thèse visent à optimiser la linéarité des HEMT GaN et intervenir dans la mise en oeuvre d’un banc load-pull multi-tons (MTLP). L’optimisation repose sur la simulation électrique d’un modèle du transistor et la quantification des effets des non-linéarités du modèle, les effets des para ...
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