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Par auteur = Lhortolary Julien
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Modèle prédictif de transistor HEMT pour la simulation précise de l'intermodulation à très bas niveau de puissance et aux hautes fréquences : évaluation des performances en linéarité de différentes filières technologiques pHEMT AsGa

Modèle prédictif de transistor HEMT pour la simulation précise de l'intermodulation à très bas niveau de puissance et aux hautes fréquences : évaluation des performances en linéarité de différentes filières technologiques pHEMT AsGa Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2007
auteur : Lhortolary Julien
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Aujourd'hui, la conception d'amplificateur de puissance intégrés hautes fréquences à forte linéarité, fonctionnant avec un fort recul de puissance par rapport à la puissance de saturation, est devenue un enjeu majeur pour les applications de télécommunications modernes. Malheureusement, aux hautes f ...
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