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Thèses de doctorat
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Etude d'une nouvelle filière de composants HEMTs sur technologie nitrure de gallium : conception d'une architecture flip-chip d'amplificateur distribué de puissance à très large bande
Etude d'une nouvelle filière de composants HEMTs sur technologie nitrure de gallium : conception d'une architecture flip-chip d'amplificateur distribué de puissance à très large bande
année de soutenance
:
2005
auteur
:
Meyer Sandra de
laboratoire
:
Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Ces travaux se rapportent à l'étude de transistors HEMTs GaN pour l'amplification de puissance hyperfréquence. L'analyse des caractéristiques des matériaux grand gap, et plus précisément du GaN, est réalisée afin de mettre en évidence leur intérêt pour des applications d'amplification de puissance l ...
https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/c6724388-69b6-4017-a9a5-6408d2282ef8/blobholder:0/2005LIMO0030.pdf
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