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Par auteur = Muller Dorothée
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Optimisation des potentialités d'un transistor LDMOS pour l'intégration d'amplificateur de puissance RF sur silicium

Optimisation des potentialités d'un transistor LDMOS pour l'intégration d'amplificateur de puissance RF sur silicium Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Muller Dorothée
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les amplificateurs de puissance RF réalisés à partir de composants issus des technologies III-V sont actuellement les plus performants du fait de leurs propriétés physique intrinsèques. Malgré cela ces technologies ne répondent pas complètement aux exigences du marché de la radiotéléphonie mobile en ...
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