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Par auteur = Nakkala Poornakarthik
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Pulsed I-V and RF characterization and modeling of AIGaN HEMTs and Graphene FETs

Pulsed I-V and RF characterization and modeling of AIGaN HEMTs and Graphene FETs Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2015
auteur : Nakkala Poornakarthik
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux de recherche se rapportent à l’évaluation des potentialités des transistors à base de graphène ainsi que la mise en évidence des effets dispersifs sur les transistors HEMTs en technologie Nitrure de Gallium. Les principaux résultats issus de ces travaux sont obtenus suite au développemen ...
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  • https://theses.hal.science/tel-01175525
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