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Caractérisation en impulsions étroites et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction en technologie InP

Caractérisation en impulsions étroites et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction en technologie InP Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2009
auteur : Saleh Alaa
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les travaux décrits dans ce mémoire de thèse ont montré une contribution à la caractérisation et à modélisation de technologie de semi conducteurs rapide dans un contexte général d'échantillonnage large bande pour viser des applications de numérisation de signaux microondes. Le premier chapitre donn ...
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