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Modélisation de transistor de puissance en technologie GaN : conception d'un amplificateur de type Doherty pour les émetteurs à puissance adaptative

Modélisation de transistor de puissance en technologie GaN : conception d'un amplificateur de type Doherty pour les émetteurs à puissance adaptative Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Lagarde Cyril
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : L'avènement des technologies de transistors de puissance sur matériaux "grand gap" tels que le Nitrure de Gallium (GaN) permet d'envisager un saut technologique majeur pour la génération de puissance à l'état solide. Cette nouvelle technologie présente des possibilités intéressantes pour des amplifi ...
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Gestion dynamique de la génération de puissance en hyperfréquence pour des modulations numériques : Applications à l'optimisation des performances d'un amplificateur millimétrique

Gestion dynamique de la génération de puissance en hyperfréquence pour des modulations numériques : Applications à l'optimisation des performances d'un amplificateur millimétrique Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2003
auteur : Forestier Stéphane
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les travaux présentés dans ce mémoire concernent dans un premier temps, l'étude des phénomènes de distorsion engendrés par la partie amplificatrice lors de l 'émission d'un signal. La recherche menée permet de modéliser et de caractériser ces phénomènes non-linéaires dans le cas d'un transistor P-PH ...
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