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Analyse des phénomènes physiques dans les diodes p-i-n : contribution à la modélisation électrothermique pour les applications de puissance RF et hyperfréquences

Analyse des phénomènes physiques dans les diodes p-i-n : contribution à la modélisation électrothermique pour les applications de puissance RF et hyperfréquences Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Gatard Emmanuel
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les diodes p-i-n sont largement utilisées dans les applications RF et hyperfréquences telles que les déphaseurs, commutateurs, atténuateurs et limiteurs. L'évaluation précise des grandeurs électriques aux accès du composant, l'étude de la fiabilité et des effets thermiques passent aujourd'hui par le ...
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Modélisation de transistor de puissance en technologie GaN : conception d'un amplificateur de type Doherty pour les émetteurs à puissance adaptative

Modélisation de transistor de puissance en technologie GaN : conception d'un amplificateur de type Doherty pour les émetteurs à puissance adaptative Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Lagarde Cyril
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : L'avènement des technologies de transistors de puissance sur matériaux "grand gap" tels que le Nitrure de Gallium (GaN) permet d'envisager un saut technologique majeur pour la génération de puissance à l'état solide. Cette nouvelle technologie présente des possibilités intéressantes pour des amplifi ...
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Gestion dynamique de la génération de puissance en hyperfréquence pour des modulations numériques : Applications à l'optimisation des performances d'un amplificateur millimétrique

Gestion dynamique de la génération de puissance en hyperfréquence pour des modulations numériques : Applications à l'optimisation des performances d'un amplificateur millimétrique Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2003
auteur : Forestier Stéphane
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les travaux présentés dans ce mémoire concernent dans un premier temps, l'étude des phénomènes de distorsion engendrés par la partie amplificatrice lors de l 'émission d'un signal. La recherche menée permet de modéliser et de caractériser ces phénomènes non-linéaires dans le cas d'un transistor P-PH ...
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