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Par directeur de thèse = Bouysse Philippe
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Dispositifs intégrés à très haute efficacité pour la gestion de l’énergie dans les émetteurs de télécommunications de 5ème génération (5G)

Dispositifs intégrés à très haute efficacité pour la gestion de l’énergie dans les émetteurs de télécommunications de 5ème génération (5G) Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2022
auteur : Joao Kelson Henrique
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les systèmes de télécommunications mobiles 5G sont structurés autour d’une architecture antennaire dite massive MIMO (Multiple Input Multiple Output), qui permet de connecter simultanément plusieurs utilisateurs avec à priori une meilleure qualité de connexion et une optimisation de l’énergie rayonn ...
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  • https://www.theses.fr/2022LIMO0124/abes
  • https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03945881

Fonction normally-on, normally-off compatible de la technologie HEMT GaN pour des applications de puissance, hyperfréquences

Fonction normally-on, normally-off compatible de la technologie HEMT GaN pour des applications de puissance, hyperfréquences Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2018
auteur : Trinh Xuan Linh
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document présente les travaux de thèse ayant pour objet la recherche et développement d’une technologie co-intégrée HEMT GaN normale-on/normally-off compatible avec les matériaux et procédés technologiques de la technologie normally-on hyperfréquence. Un exposé théorique et une revue de l’état de ...
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  • https://www.theses.fr/2018LIMO0106/abes
  • https://theses.hal.science/tel-02056773

High efficiency S-Band vector power modulator design using GaN technology

High efficiency S-Band vector power modulator design using GaN technology Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2018
auteur : Dasgupta Abhijeet
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : L’évolution des systèmes de télécommunications, liée à une demande sans cesse croissante en termes de débit et de volume de données, se concrétise par le développement de systèmes proposant des bandes passantes très larges, des modulations à très hautes efficacités spectrales, de la flexibilité en p ...
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  • https://www.theses.fr/2018LIMO0021/abes
  • https://theses.hal.science/tel-01810140

Nouvelle architecture d’amplificateur de puissance fonctionnant en commutation

Nouvelle architecture d’amplificateur de puissance fonctionnant en commutation Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2017
auteur : Disserand Anthony
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : L’essor et l’évolution des systèmes de télécommunication sont liés inéluctablement à la montée en fréquence et à l’augmentation des bandes passantes des futurs systèmes d’une part, et à une place sans cesse croissante prise par l’électronique numérique dans les chaînes d’émission/réception d’autre p ...
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  • https://www.theses.fr/2017LIMO0107/abes
  • https://theses.hal.science/tel-01740302

Polarisation dynamique de drain et de grille d’un amplificateur RF GaN appliquée à un fonctionnement RF impulsionnel à plusieurs niveaux

Polarisation dynamique de drain et de grille d’un amplificateur RF GaN appliquée à un fonctionnement RF impulsionnel à plusieurs niveaux Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2015
auteur : Delias Arnaud
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les systèmes de transmission de l’information sans fil connaissent un essor considérable et sont intégrés dans la plupart des systèmes électroniques modernes. De manière plus spécifique, la consommation énergétique de la fonction amplification de puissance RF, qui constitue le cœur de ce travail de ...
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  • https://www.theses.fr/2015LIMO0109/abes
  • https://theses.hal.science/tel-01278361

Amplification de puissance linéaire à haut rendement en technologie GaN intégrant un contrôle de polarisation de grille

Amplification de puissance linéaire à haut rendement en technologie GaN intégrant un contrôle de polarisation de grille Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2014
auteur : Medrel Pierre
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Cette thèse s’inscrit dans le domaine de l’amplification de puissance microonde linéaire et haut rendement en technologie GaN. Le premier chapitre décrit le contexte général de l’émission de signaux microondes de puissance pour les télécommunications sans fil, avec un focus particulier apporté sur l ...
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  • https://www.theses.fr/2014LIMO0006/abes
  • https://theses.hal.science/tel-01089653

Alimentations de puissance agiles en technologie GaN pour l’amplification de puissance RF

Alimentations de puissance agiles en technologie GaN pour l’amplification de puissance RF Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2014
auteur : Augeau Patrick
laboratoire : XLIM
thème : Technologie (Sciences appliquées)
Description : Dans un système de télécommunications, l’amplificateur de puissance à l’émission est le dispositif présentant les pertes énergétiques les plus importantes. Il s’avère nécessaire de mettre en oeuvre des techniques d’amélioration de son rendement. La gestion dynamique de polarisation (envelope trackin ...
bibip:
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  • https://cdn.unilim.fr/files/theses-doctorat/2014LIMO4010.pdf

Étude des classes de fonctionnement à haut rendement pour l'amplification de puissance en hyperfréquence en utilisant la technologie HEMT à base de nitrure de gallium

Étude des classes de fonctionnement à haut rendement pour l'amplification de puissance en hyperfréquence en utilisant la technologie HEMT à base de nitrure de gallium Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2012
auteur : Dufraisse Jérémy
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce rapport traite de l'étude de classes de fonctionnement pour améliorer le ren-dement en puissance d'amplificateurs à base de HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN fonctionnant autour de 2 GHz. L'analyse des caractéristiques électriques des HEMT à base de GaN présente l'impact de plaques de champ et de la di ...
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Amplification de puissance à haut rendement en bande L et en technologie GaN intégrant une pré formation de la tension de commande d'entrée

Amplification de puissance à haut rendement en bande L et en technologie GaN intégrant une pré formation de la tension de commande d'entrée Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2010
auteur : Ramadan Alaaeddine
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : La technologie de semi-conducteurs de puissance GAN est en pleine phase de développement à l'heure actuelle et offre de réelles potentialités pour la génération de fortes puissances à l'état solide en hyperfréquence. Le sujet de thèse concerne donc l'étude de l'amplification de puissance en commutat ...
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Optimisation du rendement d'amplificateurs de puissance sous contraintes de linéarité en présence de modulations numériques complexes

Optimisation du rendement d'amplificateurs de puissance sous contraintes de linéarité en présence de modulations numériques complexes Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2008
auteur : Bacqué Ludovic
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Dans un souci de réduction de la consommation des équipements de télécommunications, les concepteurs de systèmes et de sous ensembles recherchent des solutions innovantes. Pour les modules d'émission, une grande partie de cette consommation est issue des cellules amplificatrices. Dans la littérature ...
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