Aurore | Thèses de doctorat > Par directeur de thèse

Recherche en cours

Par directeur de thèse = Bouysse Philippe

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Fonction normally-on, normally-off compatible de la technologie HEMT GaN pour des applications de puissance, hyperfréquences

2018

Trinh Xuan Linh

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce document présente les travaux de thèse ayant pour objet la recherche et développement d’une technologie co-intégrée HEMT GaN normale-on/normally-off compatible avec les matériaux et procédés technologiques de la technologie normally-on hyperfréquence. Un exposé théorique et une revue de l’état de ...

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/952bbb4d-59ef-43f8-8bcb-ec2b765b8720/blobholder:0/2018LIMO0106.pdf Attention, le lien semble brisé
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High efficiency S-Band vector power modulator design using GaN technology

2018

Dasgupta Abhijeet

XLIM

Sciences de l'ingénieur

L’évolution des systèmes de télécommunications, liée à une demande sans cesse croissante en termes de débit et de volume de données, se concrétise par le développement de systèmes proposant des bandes passantes très larges, des modulations à très hautes efficacités spectrales, de la flexibilité en p ...

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/9913e710-4a75-4df3-bcff-dec53d94a8c8/blobholder:0/2018LIMO0021.pdf Attention, le lien semble brisé
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01810140 Attention, le lien semble brisé

Nouvelle architecture d’amplificateur de puissance fonctionnant en commutation

2017

Disserand Anthony

XLIM

Sciences de l'ingénieur

L’essor et l’évolution des systèmes de télécommunication sont liés inéluctablement à la montée en fréquence et à l’augmentation des bandes passantes des futurs systèmes d’une part, et à une place sans cesse croissante prise par l’électronique numérique dans les chaînes d’émission/réception d’autre p ...

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/8cf04888-92e4-43a5-b75e-51bacbaff234/blobholder:0/2017LIMO0107.pdf Attention, le lien semble brisé
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Polarisation dynamique de drain et de grille d’un amplificateur RF GaN appliquée à un fonctionnement RF impulsionnel à plusieurs niveaux

2015

Delias Arnaud

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Les systèmes de transmission de l’information sans fil connaissent un essor considérable et sont intégrés dans la plupart des systèmes électroniques modernes. De manière plus spécifique, la consommation énergétique de la fonction amplification de puissance RF, qui constitue le cœur de ce travail de ...

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/401b9bfa-7dc6-4da8-a35d-2df854c4d2ba/blobholder:0/2015LIMO0109.pdf Attention, le lien semble brisé
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Amplification de puissance linéaire à haut rendement en technologie GaN intégrant un contrôle de polarisation de grille

2014

Medrel Pierre

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Cette thèse s’inscrit dans le domaine de l’amplification de puissance microonde linéaire et haut rendement en technologie GaN. Le premier chapitre décrit le contexte général de l’émission de signaux microondes de puissance pour les télécommunications sans fil, avec un focus particulier apporté sur l ...

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/06513ef6-45fe-42ae-804f-0058bdcff438/blobholder:0/2014LIMO0006.pdf Attention, le lien semble brisé
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01089653 Attention, le lien semble brisé

Alimentations de puissance agiles en technologie GaN pour l’amplification de puissance RF

2014

Augeau Patrick

XLIM

Technologie (Sciences appliquées)

Dans un système de télécommunications, l’amplificateur de puissance à l’émission est le dispositif présentant les pertes énergétiques les plus importantes. Il s’avère nécessaire de mettre en oeuvre des techniques d’amélioration de son rendement. La gestion dynamique de polarisation (envelope trackin ...

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/9021e9e4-b921-4e14-b994-76a04bf6c5db/blobholder:0/2014LIMO4010.pdf Attention, le lien semble brisé

Étude des classes de fonctionnement à haut rendement pour l'amplification de puissance en hyperfréquence en utilisant la technologie HEMT à base de nitrure de gallium

2012

Dufraisse Jérémy

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce rapport traite de l'étude de classes de fonctionnement pour améliorer le ren-dement en puissance d'amplificateurs à base de HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN fonctionnant autour de 2 GHz. L'analyse des caractéristiques électriques des HEMT à base de GaN présente l'impact de plaques de champ et de la di ...

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/c7bdc71a-d073-4907-929b-aac730f327fa/blobholder:0/2012LIMO4048.pdf Attention, le lien semble brisé

Amplification de puissance à haut rendement en bande L et en technologie GaN intégrant une pré formation de la tension de commande d'entrée

2010

Ramadan Alaaeddine

XLIM

Sciences de l'ingénieur

La technologie de semi-conducteurs de puissance GAN est en pleine phase de développement à l'heure actuelle et offre de réelles potentialités pour la génération de fortes puissances à l'état solide en hyperfréquence. Le sujet de thèse concerne donc l'étude de l'amplification de puissance en commutat ...

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/ffee17f3-34c5-439b-8f3b-a0e896c80931/blobholder:0/2010LIMO4016.pdf Attention, le lien semble brisé

Optimisation du rendement d'amplificateurs de puissance sous contraintes de linéarité en présence de modulations numériques complexes

2008

Bacqué Ludovic

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Dans un souci de réduction de la consommation des équipements de télécommunications, les concepteurs de systèmes et de sous ensembles recherchent des solutions innovantes. Pour les modules d'émission, une grande partie de cette consommation est issue des cellules amplificatrices. Dans la littérature ...

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/be8d8baa-f83a-48b1-98c4-e8de4a9a5566/blobholder:0/2008LIMO4041.pdf Attention, le lien semble brisé

Analyse des phénomènes physiques dans les diodes p-i-n : contribution à la modélisation électrothermique pour les applications de puissance RF et hyperfréquences

2006

Gatard Emmanuel

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Les diodes p-i-n sont largement utilisées dans les applications RF et hyperfréquences telles que les déphaseurs, commutateurs, atténuateurs et limiteurs. L'évaluation précise des grandeurs électriques aux accès du composant, l'étude de la fiabilité et des effets thermiques passent aujourd'hui par le ...

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/0b9b8206-a9ad-4e98-8108-afdd5506fda2/blobholder:0/2006LIMO0065.pdf Attention, le lien semble brisé