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Par directeur de thèse = Campovecchio Michel
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Nouvelles méthodes de caractérisation et de modélisation non-linéaire électrothermique des effets de piège dans la technologie HEMT GaN pour l’étude de la stabilité pulse à pulse dans les applications radar

Nouvelles méthodes de caractérisation et de modélisation non-linéaire électrothermique des effets de piège dans la technologie HEMT GaN pour l’étude de la stabilité pulse à pulse dans les applications radar Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2018
auteur : Fakhfakh Seifeddine
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : La capacité d’un émetteur radar à assurer la bonne détection des cibles mouvantes sans générer de fausses alertes dépend principalement de sa stabilité pulse à pulse qui est affectée par de nombreux facteurs tels que les effets mécaniques, thermiques et électriques. Cependant, la stabilité pulse à p ...
  • https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02023049 Attention, le lien semble brisé
  • http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/4a33782d-100d-4cec-ae41-0c2b23b5b05d/blobholder:0/2018LIMO0103.pdf

Conception d'amplificateurs intégrés de puissance en technologies Silicium pour station de base de la quatrième génération des systèmes de radiocommunications cellulaires

Conception d'amplificateurs intégrés de puissance en technologies Silicium pour station de base de la quatrième génération des systèmes de radiocommunications cellulaires Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2016
auteur : Plet Sullivan
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux de recherche concernent les amplificateurs RF de puissance pour stations de base. La technologie actuelle de transistor RF la plus compétitive, le LDMOS, est confrontée à l’augmentation constante du débit et à la concurrence d’autres technologies comme le HEMT GaN. Un autre challenge est ...
  • http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/c7fe4839-6845-4b8c-8532-052196fb1d72/blobholder:0/2016LIMO0095.pdf
  • https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01942522 Attention, le lien semble brisé

Analyse de la stabilité d'impulsion à impulsion des amplificateurs de puissance HEMT GaN pour applications radar en bande S

Analyse de la stabilité d'impulsion à impulsion des amplificateurs de puissance HEMT GaN pour applications radar en bande S Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2016
auteur : Delprato Julien
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les systèmes radar nécessitent d’être de plus en plus performants et doivent émettre des impulsions les plus identiques possibles. Un critère permet de quantifier la bonne régularité des impulsions radar au cours du temps : la stabilité pulse à pulse. L’amplificateur de puissance est un élément esse ...
  • http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/b77d0f5e-1723-4dd5-8424-625888c0038a/blobholder:0/2016LIMO0060.pdf
  • https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01385657 Attention, le lien semble brisé

Caractérisation et modélisation des pièges par des mesures de dispersion basse-fréquence dans les technologies HEMT InAIN/GaN pour l'amplification de puissance en gamme millimétrique

Caractérisation et modélisation des pièges par des mesures de dispersion basse-fréquence dans les technologies HEMT InAIN/GaN pour l'amplification de puissance en gamme millimétrique Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2016
auteur : Potier Clément
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs) en Nitrure de Gallium (GaN) s’affirment aujourd’hui comme une technologie essentielle à l’amplification de puissance à haute fréquence. Les HEMTs GaN étudiées et développées reposent essentiellement sur une hétérostructure AlGaN/GaN mais une alter ...
  • http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/c82cac59-f55e-4574-a5fa-fb10c7682ec1/blobholder:0/2016LIMO0033.pdf
  • https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01356383 Attention, le lien semble brisé

Pulsed I-V and RF characterization and modeling of AIGaN HEMTs and Graphene FETs

Pulsed I-V and RF characterization and modeling of AIGaN HEMTs and Graphene FETs Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2015
auteur : Nakkala Poornakarthik
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux de recherche se rapportent à l’évaluation des potentialités des transistors à base de graphène ainsi que la mise en évidence des effets dispersifs sur les transistors HEMTs en technologie Nitrure de Gallium. Les principaux résultats issus de ces travaux sont obtenus suite au développemen ...
  • http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/5dcb82c0-98ec-4bf5-b842-e7139940f4f7/blobholder:0/2015LIMO0028.pdf
  • https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01175525 Attention, le lien semble brisé

Combinaison de puissance hyperfréquence à faibles pertes et compacte

Combinaison de puissance hyperfréquence à faibles pertes et compacte Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2014
auteur : Bonnet Sebastien
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux de thèse concernent le développement de combineur de puissance faibles pertes et compact selon une architecture planaire pour des applications amplificateur de forte puissance à état solide en bande X. La conception du combineur de puissance s’appuie sur l’étude de structures multicouche ...
  • http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/6a4ab672-a163-4153-8d51-72abd1f69df7/blobholder:0/2014LIMO0072.pdf
  • https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01171759 Attention, le lien semble brisé

Méthode d'encapsulation optimale d'une technologie HEMT GaN pour la conception d'amplificateurs large bande à forte puissance et haut rendement destinés aux applications radars en bande S

Méthode d'encapsulation optimale d'une technologie HEMT GaN pour la conception d'amplificateurs large bande à forte puissance et haut rendement destinés aux applications radars en bande S Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Chéron Jérôme
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les applications radars requièrent aujourd'hui des performances très importantes en termes de puissance émise, de rendement et de bande passante, afin de réduire les coûts et l'encombrement des systèmes radars. Le transistor HEMT GaN est la technologie de puissance qui répond le plus favorablement a ...
  • http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/b9607ad9-db5a-4302-8d68-2ee8d6236242/blobholder:0/2011LIMO4010.pdf

Caractérisation avancée et nouvelles méthodologies de modélisation des technologies GaN pour la conception d'amplificateurs de puissance large bande et haut rendement aux fréquences RF et microondes

Caractérisation avancée et nouvelles méthodologies de modélisation des technologies GaN pour la conception d'amplificateurs de puissance large bande et haut rendement aux fréquences RF et microondes Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Demenitroux Wilfried
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Haut rendement, forte linéarité et large bande de fonctionnement sont les points clés de la conception d'amplificateur de puissance d'aujourd'hui. De plus, de nombreux amplificateurs de puissance sont développés en technologie hybride utilisant des transistors en boîtier, rajoutant une difficulté su ...
  • http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/bd67ae36-c41e-48b1-a795-cee1579821d7/blobholder:0/2011LIMO4040.pdf

Etude de nouvelles structures de filtres actifs intégrées en Hyperfréquences

Etude de nouvelles structures de filtres actifs intégrées en Hyperfréquences Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2010
auteur : Bergeras François
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail de thèse porte sur l'extension des fonctionnalités d'une méthode de synthèse générique dédiée à la conception de filtres actifs passe-bande microondes applicables dans la bande radar (2-20 GHz) et intégrables en technologie MMIC. A partir d'une étude bibliographique sur le filtrage actif ...
  • http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/6ee5a185-b426-42c3-a315-9a707c01277d/blobholder:0/2010LIMO4048.pdf

Etude d'amplificateurs faible niveau à haute linéarité en technologies intégrées HEMT AsGa pour applications spatiales

Etude d'amplificateurs faible niveau à haute linéarité en technologies intégrées HEMT AsGa pour applications spatiales Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2008
auteur : Tapfuh Mouafo Joseph
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail concerne les phénomènes d'intermodulation dans les amplifications faible niveau et propose des solutions afin de les réduire au regard d'une basse consommation. L'approche ce conception proposée est basée sur l'optimisation de la charge des transistors du dernier étage à partir des donnée ...
  • http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/82c545c3-edac-49d5-a891-3f4fbc7ceba0/blobholder:0/2008LIMO4056.pdf
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