Aurore | Thèses de doctorat > Par directeur de thèse

Recherche en cours

Par directeur de thèse = Campovecchio Michel

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Conception d’amplificateurs de puissance haut rendement en technologie MMIC pour applications radiocommunication 5G

2024

Nonet Olivier

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Les réseaux modernes de radiocommunication utilisent des signaux modulés complexes à forte eﬃcacité spectrale et oﬀrent des débits de donnés importants avec en contrepartie, des facteurs de crête élevés. Ce dernier paramètre dégrade fortement le rendement moyen des ampliﬁcateurs, la dissipation ther ...

Cette thèse sera librement accessible à partir du 01-07-2027

Nouvelles méthodes de caractérisation et de modélisation non-linéaire électrothermique des effets de piège dans la technologie HEMT GaN pour l’étude de la stabilité pulse à pulse dans les applications radar

Nouvelles méthodes de caractérisation et de modélisation non-linéaire électrothermique des effets de piège dans la technologie HEMT GaN pour l’étude de la stabilité pulse à pulse dans les applications radar

2018

Fakhfakh Seifeddine

XLIM

Sciences de l'ingénieur

La capacité d’un émetteur radar à assurer la bonne détection des cibles mouvantes sans générer de fausses alertes dépend principalement de sa stabilité pulse à pulse qui est affectée par de nombreux facteurs tels que les effets mécaniques, thermiques et électriques. Cependant, la stabilité pulse à p ...

Conception d'amplificateurs intégrés de puissance en technologies Silicium pour station de base de la quatrième génération des systèmes de radiocommunications cellulaires

2016

Plet Sullivan

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ces travaux de recherche concernent les amplificateurs RF de puissance pour stations de base. La technologie actuelle de transistor RF la plus compétitive, le LDMOS, est confrontée à l’augmentation constante du débit et à la concurrence d’autres technologies comme le HEMT GaN. Un autre challenge est ...

Analyse de la stabilité d'impulsion à impulsion des amplificateurs de puissance HEMT GaN pour applications radar en bande S

2016

Delprato Julien

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Les systèmes radar nécessitent d’être de plus en plus performants et doivent émettre des impulsions les plus identiques possibles. Un critère permet de quantifier la bonne régularité des impulsions radar au cours du temps : la stabilité pulse à pulse. L’amplificateur de puissance est un élément esse ...

Caractérisation et modélisation des pièges par des mesures de dispersion basse-fréquence dans les technologies HEMT InAIN/GaN pour l'amplification de puissance en gamme millimétrique

2016

Potier Clément

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs) en Nitrure de Gallium (GaN) s’affirment aujourd’hui comme une technologie essentielle à l’amplification de puissance à haute fréquence. Les HEMTs GaN étudiées et développées reposent essentiellement sur une hétérostructure AlGaN/GaN mais une alter ...

Pulsed I-V and RF characterization and modeling of AIGaN HEMTs and Graphene FETs

2015

Nakkala Poornakarthik

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ces travaux de recherche se rapportent à l’évaluation des potentialités des transistors à base de graphène ainsi que la mise en évidence des effets dispersifs sur les transistors HEMTs en technologie Nitrure de Gallium. Les principaux résultats issus de ces travaux sont obtenus suite au développemen ...

Combinaison de puissance hyperfréquence à faibles pertes et compacte

2014

Bonnet Sebastien

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ces travaux de thèse concernent le développement de combineur de puissance faibles pertes et compact selon une architecture planaire pour des applications amplificateur de forte puissance à état solide en bande X. La conception du combineur de puissance s’appuie sur l’étude de structures multicouche ...

Méthode d'encapsulation optimale d'une technologie HEMT GaN pour la conception d'amplificateurs large bande à forte puissance et haut rendement destinés aux applications radars en bande S

2011

Chéron Jérôme

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Les applications radars requièrent aujourd'hui des performances très importantes en termes de puissance émise, de rendement et de bande passante, afin de réduire les coûts et l'encombrement des systèmes radars. Le transistor HEMT GaN est la technologie de puissance qui répond le plus favorablement a ...

Caractérisation avancée et nouvelles méthodologies de modélisation des technologies GaN pour la conception d'amplificateurs de puissance large bande et haut rendement aux fréquences RF et microondes

Caractérisation avancée et nouvelles méthodologies de modélisation des technologies GaN pour la conception d'amplificateurs de puissance large bande et haut rendement aux fréquences RF et microondes

2011

Demenitroux Wilfried

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Haut rendement, forte linéarité et large bande de fonctionnement sont les points clés de la conception d'amplificateur de puissance d'aujourd'hui. De plus, de nombreux amplificateurs de puissance sont développés en technologie hybride utilisant des transistors en boîtier, rajoutant une difficulté su ...

Etude de nouvelles structures de filtres actifs intégrées en Hyperfréquences

2010

Bergeras François

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce travail de thèse porte sur l'extension des fonctionnalités d'une méthode de synthèse générique dédiée à la conception de filtres actifs passe-bande microondes applicables dans la bande radar (2-20 GHz) et intégrables en technologie MMIC. A partir d'une étude bibliographique sur le filtrage actif ...