Aurore | Thèses de doctorat > Par directeur de thèse

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Par directeur de thèse = Nallatamby Jean-Christophe

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Mesures et modélisations multi-physiques des dispositifs GaN pour la co-intégration SiP en technologie FOWLP

2024

Kakou Luc Arnaud N'Doua

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Cette thèse, en lien avec le projet SMART3 du plan nano 2022, a pour but d’évaluer et de développer de nouvelles technologies de packaging 2D et 3D pour répondre à l’intégration hétérogène de différentes technologies de semi-conducteurs (GaN, AsGa, Si, …) afin de concevoir des systèmes entièrement i ...

Caractérisation de transistors HEMT en utilisant une méthode innovante de mesure de la linéarité

2024

Silva Dos Santos José Anderson

XLIM

Sciences de l'ingénieur

La linéarité des composants et circuits RF est un paramètre majeur de la qualité d’une liaison de télécommunications, notamment pour les applications de la 5G. Le but de mon travail est de proposer une technique de mesure sous pointe de la linéarité, adaptable sur un banc de load-pull grâce à l’util ...

Développement d’un banc de mesure par thermoreflectance pour les composants de puissance

2022

Jakani Anass

XLIM

Sciences de l'ingénieur

La forte demande de l'industrie électronique en termes de niveaux de puissance et de fréquences élevées a fortement encouragé le développement de la technologie des transistors HEMT en nitrure de gallium (GaN). Cependant, malgré les efforts accomplis sur d’optimisation thermique de ces composants pa ...

Approche duale de modélisation TCAD et de caractérisations électriques approfondies pour la détermination de la signature et de la localisation des pièges dans les HEMT GaN sur substrat SiC

2020

Bouslama Mohamed

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Les HEMT à base du GaN ont déjà démontré leur potentialité pour toutes les applications forte puissance et haute fréquence. Cependant, cette technologie souffre de limitations dues notamment à un mécanisme complexe de piégeage/dépiégeage de charges qui se produit dans le composant et reste encore au ...

Physics-based TCAD device simulations and measurements of GaN HEMT technology for RF power amplifier applications

2017

Subramani Nandha kumar

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Depuis plusieurs années, la technologie de transistors à effet de champ à haute mobilité (HEMT) sur Nitrure de Gallium (GaN) a démontré un potentiel très important pour la montée en puissance et en fréquence des dispositifs. Malheureusement, la présence des effets parasites dégrade les performances ...

Caractérisation basse fréquence et simulation physique de transistors bipolaires hétérojonction en vue de l'analyse du bruit GR assisté par pièges

2016

Al Hajjar Ahmad

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce travail présente le développement d’un banc de mesure thermique, pour la mesure : de réseaux I (V), d’impédance basse fréquence et de bruit basse fréquence des composants semi-conducteurs. Le banc de mesure de bruit BF est composé d’un amplificateur de tension faible bruit, d’un amplificateur tra ...

Simulation physique du bruit basse fréquence stationnaire, dans les composants semi-conducteurs

2012

Abdel Hadi Khaled

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce mémoire est consacré à la conception des deux méthodologies générales et robustes de simulation du bruit de génération-recombinaison assisté par piège dans des composants semi-conducteurs « réels ». Ce mémoire commence par des rappels sur les origines de bruit BF. Une présentation globale des mét ...

Conception d'un circuit oscillateur MMIC à 2 OCT commutés large bande à faible bruit de phase pour applications spatiales

2011

Chamaa Nazem

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce mémoire est consacré à la conception d'un circuit OCT MMIC à large bande d'accord et à faible bruit de phase utilisant un TBH InGaP/GaAs pour les applications spatiales. Le premier chapitre décrit le modèle non linéaire du transistor utilisé pour la conception du circuit et les mesures effectuées ...

Etude et réalisation d'un oscillateur bande X, contrôlé en tension, à varactor MEMS, pour application spatiale

2009

Dupouy Emmanuel

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce mémoire est consacré à l'étude et à la réalisation d'un oscillateur contrôlé en tension (OCT) à 10 GHz. Ce travail permet d'étudier la faisabilité d'un OCT utilisant des varactors MEMS pour accorder la fréquence d'oscillation. Le premier chapitre de ce mémoire montre les méthodes d'analyse de l'o ...

Simulation en bruit et conception d'OCT MMIC à très faible bruit de phase pour applications automobiles et télécommunications

2006

Gourdon Cyril

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Le travail présenté dans ce mémoire concerne les oscillateurs hyperfréquences contrôlés en tension et réalisés en technologie MMIC. Ils sont utilisés dans les radars automobiles et dans des applications de télécommunications. Après la présentation des deux domaines d'utilisation des oscillateurs, no ...