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Etude et Conception d’amplificateurs DOHERTY GaN en technologie Quasi - MMIC en bande C

Etude et Conception d’amplificateurs DOHERTY GaN en technologie Quasi - MMIC en bande C Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2017
auteur : Ayad Mohammed
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail répond à un besoin industriel accru en termes d’amplification des signaux sur porteuses à enveloppes variables utilisés par les systèmes de télécommunications actuels. Ces signaux disposent d’un fort PAPR et d’une distribution statistique d’enveloppe centrée en-deçà de la valeur crête d’e ...
 Cette thèse sera accessible à la communauté universitaire de Limoges à partir du 30-06-2020 puis librement à partir du 30-06-2022

Etude et mise en œuvre d’un banc intégré et étalonné 4 canaux pour la caractérisation temporelle de dispositifs non-linéaires hyperfréquences

Etude et mise en œuvre d’un banc intégré et étalonné 4 canaux pour la caractérisation temporelle de dispositifs non-linéaires hyperfréquences Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2017
auteur : Farah Saïd
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail de cette thèse propose une conception et une réalisation d’un banc intégré de caractérisation temporelle des dispositifs RF non-linéaires conçu avec des récepteurs de type THA. Ce banc est une version miniaturisée, moins onéreuse et à performances comparables d’un banc similaire « éclaté ...

Contribution au développement d’un banc de mesures temporelles 4-canaux pour la caractérisation avancée de composants et de sous-systèmes RF non linéaires

Contribution au développement d’un banc de mesures temporelles 4-canaux pour la caractérisation avancée de composants et de sous-systèmes RF non linéaires Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2016
auteur : Ayari Lotfi
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les communications futures pour les applications civiles et militaires utilisent des signaux modulés complexes large bande qui seront émis à travers des amplificateurs de puissance multivoie de type DOHERTY qui devront avoir des performances en puissance, rendement, OBO et largeur de bande qui const ...

Trapping and Reliability investigations in GaN-based HEMTs

Trapping and Reliability investigations in GaN-based HEMTs Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2016
auteur : Benvegnù Agostino
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs) en nitrure de gallium (GaN) s’affirment comme les candidats prometteurs pour les futurs équipements à micro-ondes - tels que les amplificateurs de puissance à état solide (SSPA), grâce à leurs excellentes performances. Une première démonstration d ...

Analyse de la stabilité d'impulsion à impulsion des amplificateurs de puissance HEMT GaN pour applications radar en bande S

Analyse de la stabilité d'impulsion à impulsion des amplificateurs de puissance HEMT GaN pour applications radar en bande S Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2016
auteur : Delprato Julien
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les systèmes radar nécessitent d’être de plus en plus performants et doivent émettre des impulsions les plus identiques possibles. Un critère permet de quantifier la bonne régularité des impulsions radar au cours du temps : la stabilité pulse à pulse. L’amplificateur de puissance est un élément esse ...

Contribution à la mesure temporelle calibrée ultra-large bande de multipôles non linéaires microondes

Contribution à la mesure temporelle calibrée ultra-large bande de multipôles non linéaires microondes Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2013
auteur : El Akhdar Kassem
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les systèmes de télécommunications modernes requièrent l'utilisation des modulations complexes à large bande passante et à fort dynamique d'amplitude. Dans ces conditions, l'amplificateur de puissance dans un système de transmission est très contraint par une optimisation difficile de ses performanc ...
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Optimisation du rendement en puissance ajoutée des amplificateurs de puissances large bande à base de Nitrure de Gallium

Optimisation du rendement en puissance ajoutée des amplificateurs de puissances large bande à base de Nitrure de Gallium Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2013
auteur : Berrached Chamssedine
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux traitent de l’optimisation du rendement des amplificateurs de puissance large bande fondé sur des barrettes de transistors en Nitrure de Gallium. Une méthode de conception destinée à l’optimisation du rendement des amplificateurs de puissance large bande est présentée. Elle est fondée su ...
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Système de mesures temporelles 4-canaux à échantillonnage entrelacé ultra haute fréquence basé sur des amplificateurs « Track & Hold » pour la caractérisation impulsionnelle d'amplificateurs de puissance non linéaires

Système de mesures temporelles 4-canaux à échantillonnage entrelacé ultra haute fréquence basé sur des amplificateurs « Track & Hold » pour la caractérisation impulsionnelle d'amplificateurs de puissance non linéaires Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2012
auteur : Ahmed Sajjad
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les communications de forte puissance, telles que celles des applications radar, sont fondées surdes modulations impulsionnelles de signaux RF. La mesure précise de ces signaux RF impulsionels est très complexe parce que leur bande passante est infinie. Pour obtenir les informations instantanées de ...
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Contribution à l'étude de l'amplification de puissance en technologie GaN par la technique de suivi d'enveloppe

Contribution à l'étude de l'amplification de puissance en technologie GaN par la technique de suivi d'enveloppe Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Elmazova Flavie
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les travaux de cette thèse concernent l'étude de l'amplification de puissance micro-onde en technologie GaN. Un descriptif succinct des principales propriétés de ce matériau est réalisé afin de justifier le choix d'un tel candidat pour les applications de puissance hyperfréquences. L'étape suivante ...
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Méthode d'encapsulation optimale d'une technologie HEMT GaN pour la conception d'amplificateurs large bande à forte puissance et haut rendement destinés aux applications radars en bande S

Méthode d'encapsulation optimale d'une technologie HEMT GaN pour la conception d'amplificateurs large bande à forte puissance et haut rendement destinés aux applications radars en bande S Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Chéron Jérôme
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les applications radars requièrent aujourd'hui des performances très importantes en termes de puissance émise, de rendement et de bande passante, afin de réduire les coûts et l'encombrement des systèmes radars. Le transistor HEMT GaN est la technologie de puissance qui répond le plus favorablement a ...
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