Amplification de puissance linéaire à haut rendement en technologie GaN intégrant un contrôle de polarisation de grille
(Document en Français)
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- Auteur
- Medrel (Medrel) Pierre
- Date de soutenance
- 21-10-2014
- Directeur(s) de thèse
- Nébus Jean-Michel - Bouysse Philippe
- Président du jury
- Quéré Raymond
- Rapporteurs
- Kerhervé Eric - Haese-Rolland Nathalie
- Membres du jury
- Nébus Jean-Michel - Bouysse Philippe - Villemazet Jean-Francois - Lapierre Luc - Sombrin Jacques
- Laboratoire
- XLIM - UMR CNRS 7252
- Ecole doctorale
- École doctorale Sciences et ingénierie pour l'information, mathématiques (Limoges ; 2009-2018)
- Etablissement de soutenance
- Limoges
- Discipline
- Electronique des Hautes Fréquences, Photonique et Systèmes
- Classification
- Sciences de l'ingénieur
- Mots-clés libres
- Amplificateur de puissance RF, GaN HEMT
- Mots-clés
- Amplificateurs microondes,
- Transistors à effet de champ à dopage modulé
Cette thèse s’inscrit dans le domaine de l’amplification de puissance microonde linéaire et haut rendement en technologie GaN. Le premier chapitre décrit le contexte général de l’émission de signaux microondes de puissance pour les télécommunications sans fil, avec un focus particulier apporté sur l’amplificateur de puissance RF. Les différents critères de linéarité et d’efficacité énergétique sont introduits.Le second chapitre présente plus particulièrement la technologie GaN et le transistor de puissance comme brique de base pour l’amplification de puissance microonde. Une revue synthétique des différentes architectures relevées dans la littérature relative à l’amplification à haut rendement est faite.En troisième chapitre, le banc de mesure temporelle d’enveloppe développé et servant de support expérimental à cette étude est présenté. Les procédures d’étalonnage et de synchronisation sont décrites. En illustration, une nouvelle méthode de mesure du NPR large bande est présentée, et validée expérimentalement.Une solution d’amplification adaptative innovante est étudiée dans le quatrième chapitre, et constitue le cœur de ce mémoire. Celle-ci se base sur le contrôle dynamique de la polarisation de grille autour du point de pincement, au rythme de l’enveloppe de modulation. Un démonstrateur d’amplification 10W GaN en bande S (2.5GHz) est développé. Comparativement à la classe B fixe, une forte amélioration de la linéarité est obtenue, sans impact notable sur le rendement moyen de l’amplificateur RF. Finalement, une investigation de la technique proposée pour l’amélioration du rendement du modulateur dans l’architecture d’envelope tracking de drain est menée.
- Type de contenu
- Text
- Format
Pour citer cette thèse
Medrel Pierre, Amplification de puissance linéaire à haut rendement en technologie GaN intégrant un contrôle de polarisation de grille, thèse de doctorat, Limoges, Université de Limoges, 2014. Disponible sur https://aurore.unilim.fr/ori-oai-search/notice/view/2014LIMO0006