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Amplification de puissance linéaire à haut rendement en technologie GaN intégrant un contrôle de polarisation de grille

(Document en Français)

Accès au(x) document(s)

Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
  • Accéder au(x) document(s) :
    • https://www.theses.fr/2014LIMO0006/abes
    • https://theses.hal.science/tel-01089653
    Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Informations sur les contributeurs

Auteur
Medrel (Medrel) Pierre
Date de soutenance
21-10-2014

Directeur(s) de thèse
Nébus Jean-Michel - Bouysse Philippe
Président du jury
Quéré Raymond
Rapporteurs
Kerhervé Eric - Haese-Rolland Nathalie
Membres du jury
Nébus Jean-Michel - Bouysse Philippe - Villemazet Jean-Francois - Lapierre Luc - Sombrin Jacques

Laboratoire
XLIM - UMR CNRS 7252
Ecole doctorale
École doctorale Sciences et ingénierie pour l'information, mathématiques (Limoges ; 2009-2018)
Etablissement de soutenance
Limoges

Informations générales

Discipline
Electronique des Hautes Fréquences, Photonique et Systèmes
Classification
Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres
Amplificateur de puissance RF, GaN HEMT
Mots-clés
Amplificateurs microondes,
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Résumé :

Cette thèse s’inscrit dans le domaine de l’amplification de puissance microonde linéaire et haut rendement en technologie GaN. Le premier chapitre décrit le contexte général de l’émission de signaux microondes de puissance pour les télécommunications sans fil, avec un focus particulier apporté sur l’amplificateur de puissance RF. Les différents critères de linéarité et d’efficacité énergétique sont introduits.Le second chapitre présente plus particulièrement la technologie GaN et le transistor de puissance comme brique de base pour l’amplification de puissance microonde. Une revue synthétique des différentes architectures relevées dans la littérature relative à l’amplification à haut rendement est faite.En troisième chapitre, le banc de mesure temporelle d’enveloppe développé et servant de support expérimental à cette étude est présenté. Les procédures d’étalonnage et de synchronisation sont décrites. En illustration, une nouvelle méthode de mesure du NPR large bande est présentée, et validée expérimentalement.Une solution d’amplification adaptative innovante est étudiée dans le quatrième chapitre, et constitue le cœur de ce mémoire. Celle-ci se base sur le contrôle dynamique de la polarisation de grille autour du point de pincement, au rythme de l’enveloppe de modulation. Un démonstrateur d’amplification 10W GaN en bande S (2.5GHz) est développé. Comparativement à la classe B fixe, une forte amélioration de la linéarité est obtenue, sans impact notable sur le rendement moyen de l’amplificateur RF. Finalement, une investigation de la technique proposée pour l’amélioration du rendement du modulateur dans l’architecture d’envelope tracking de drain est menée.

Informations techniques

Type de contenu
Text
Format
PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine
STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant
2014LIMO0006
Numéro national
2014LIMO0006

Pour citer cette thèse

Medrel Pierre, Amplification de puissance linéaire à haut rendement en technologie GaN intégrant un contrôle de polarisation de grille, thèse de doctorat, Limoges, Université de Limoges, 2014. Disponible sur https://aurore.unilim.fr/ori-oai-search/notice/view/2014LIMO0006