Contribution au développement de nouveaux instruments pour la modélisation des transistors hautes fréquences

Discipline

Electronique et télécommunications

Classification

Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres

Relaxation isotherme, Modélisation des pièges

Mots-clés

Transistors à effet de champ à dopage modulé,

Transistors,

Automatisation

Ces travaux portent sur le développement et l'automatisation d'un banc de mesure permettant la caractérisation des niveaux profonds dans les transitors. Tout d'abord, une série de caractérisations statiques et dynamiques a été réalisée afin de déterminer les limites de fonctionnement et les effets parasites des composants suivants : le MHEMT InA1As/InGaAs et le HEMT InAs/A1Sb. Ensuite un banc de mesure basé sur le principe de relaxation isotherme a été modernisé et automatisé. Il permet à partir de la mesure du courant de drain dans une plage de température, de déterminer la signature des pièges présents. Ce banc a permis la caractérisation et la localisation des pièges dans les deux structures citées précédemment. Une fois caractérisés, les pièges dans le MHEMT InA1As/InGaAs ont été modélisés à l'aide d'un circuit électrique représentant les phénomènes de capture et d'émission d'électrons (ou de trous). Un circuit amplificateur à base du MHEMT incluant le modèle de pièges, a été conçu. En variant le point de polarisation du circuit et la température, on a vu que la présence des pièges entraîne une dégradation du gain et une diminution de la fréquence de coupure qui peuvent atteindre 3,9 dB et 1,5 GHz respectivement.