Caractérisation expérimentale et modélisation cyclostationnaire des sources de bruit BF dans les composants semiconducteurs pour la CAO des circuits MMIC non linéaires

Discipline

Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique

Classification

Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres

bruit (électronique), modèles et modélisation, transistors, semiconducteurs, circuit intégré monolithique hyperfréquence (MMIC)

Mots-clés

Semiconducteurs - Thèses et écrits académiques,

Transistors bipolaires - Thèses et écrits académiques,

Amplificateurs basse fréquence à transistors - Thèses et écrits académiques,

Bruit électronique - Thèses et écrits académiques,

Circuits intégrés pour microondes - Thèses et écrits académiques,

Conception assistée par ordinateur - Thèses et écrits académiques

Ce travail concerne le développement de moyens de caractérisation expérimentale du bruit BF des composants semiconducteurs. Pour pouvoir extraire les sources de bruit en courant équivalentes aux accès du transistor lorsque celui-ci est soumis à un fort courant DC, nous proposons une méthode basée sur la caractérisation expérimentale de sa dynamique BF, ainsi que des fluctuations de tensions à ses bornes. Dans un deuxième temps, nous avons étudié le bruit BF des diodes et transistors, lorsque ceux-ci sont soumis à un régime de travail fort signal. L'instrumentation retenue pour cette étude a été préalablement utilisée dans la mesure du bruit 1/f des résistances au carbone, afin de démontrer ses potentialités. Les résultats obtenus sur des composants semiconducteurs ont mis en évidence le caractère cyclostationnaire des sources de bruit BF.