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Caractérisation expérimentale et modélisation cyclostationnaire des sources de bruit BF dans les composants semiconducteurs pour la CAO des circuits MMIC non linéaires

(Document en Français)

Accès au(x) document(s)

Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
  • Accéder au(x) document(s) :
    • https://cdn.unilim.fr/files/theses-doctorat/2008LIMO4014.pdf
    Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Informations sur les contributeurs

Auteur
Souza Antonio Augusto Lisboa de
Date de soutenance
18-07-2008

Directeur(s) de thèse
Obregon Juan - Prigent Michel
Président du jury
QUERE Raymond
Rapporteurs
BORGARINO Mattia - PASCAL Fabien
Membres du jury
GOURDON Cyril - LABAT Nathalie - NALLATAMBY Jean-Christophe - OBREGON Juan - PRIGENT Michel

Laboratoire
XLIM - UMR CNRS 7252
Ecole doctorale
École doctorale Sciences - Technologie - Santé - STS (Limoges ; ...-2009)
Etablissement de soutenance
Limoges

Informations générales

Discipline
Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique
Classification
Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres
bruit (électronique), modèles et modélisation, transistors, semiconducteurs, circuit intégré monolithique hyperfréquence (MMIC)
Mots-clés
Semiconducteurs - Thèses et écrits académiques,
Transistors bipolaires - Thèses et écrits académiques,
Amplificateurs basse fréquence à transistors - Thèses et écrits académiques,
Bruit électronique - Thèses et écrits académiques,
Circuits intégrés pour microondes - Thèses et écrits académiques,
Conception assistée par ordinateur - Thèses et écrits académiques
Résumé :

Ce travail concerne le développement de moyens de caractérisation expérimentale du bruit BF des composants semiconducteurs. Pour pouvoir extraire les sources de bruit en courant équivalentes aux accès du transistor lorsque celui-ci est soumis à un fort courant DC, nous proposons une méthode basée sur la caractérisation expérimentale de sa dynamique BF, ainsi que des fluctuations de tensions à ses bornes. Dans un deuxième temps, nous avons étudié le bruit BF des diodes et transistors, lorsque ceux-ci sont soumis à un régime de travail fort signal. L'instrumentation retenue pour cette étude a été préalablement utilisée dans la mesure du bruit 1/f des résistances au carbone, afin de démontrer ses potentialités. Les résultats obtenus sur des composants semiconducteurs ont mis en évidence le caractère cyclostationnaire des sources de bruit BF.

Informations techniques

Type de contenu
Text
Format
PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine
Ressource locale
Identifiant
unilim-ori-25021
Numéro national
2008LIMO4014

Pour citer cette thèse

Souza Antonio Augusto Lisboa de, Caractérisation expérimentale et modélisation cyclostationnaire des sources de bruit BF dans les composants semiconducteurs pour la CAO des circuits MMIC non linéaires, thèse de doctorat, Limoges, Université de Limoges, 2008. Disponible sur https://aurore.unilim.fr/ori-oai-search/notice/view/unilim-ori-25021