Contribution à la modélisation des transistors pour l'amplification de puissance aux fréquences microondes : développement d'un nouveau modèle électrothermique de HEMT AlGaN/GaN incluant les effets de pièges

Discipline

Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique

Classification

Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres

modèles et modélisation, microondes, transistors, semiconducteurs, électronique de puissance

Mots-clés

électronique de puissance - Modèles mathématiques - Thèses et écrits académiques,

Amplificateurs de puissance - Thèses et écrits académiques,

Nitrure de gallium - Thèses et écrits académiques,

Transistors de puissance - Thèses et écrits académiques,

Transistors bipolaires - Thèses et écrits académiques

Ce document traîte de la modélisation de transistors de puissance microondes TBH InGaP/AsGa et HEMTs AlGaN/GaN pour des applications en bande X. Les HEMTs AlGaN/GaN ont été commercialisés récemment et il y a par conséquent un besoin de modèles précis permettant de décrire leurs caractéristiques électriques, afin de concevoir des amplificateurs. Le modèle proposé inclut une description dynamique des effets des pièges sur les caractéristiques électriques et des phénomènes thermiques, permettant d'augmenter la précision des modèles classiques ainsi que leur domaine de validité.