Caractérisation en impulsions étroites et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction en technologie InP

Discipline

Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique

Classification

Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres

simulations, modèles et modélisation, transistors, semiconducteurs, dispositifs MOS

Mots-clés

Transistors bipolaires - Thèses et écrits académiques

Les travaux décrits dans ce mémoire de thèse ont montré une contribution à la caractérisation et à modélisation de technologie de semi conducteurs rapide dans un contexte général d'échantillonnage large bande pour viser des applications de numérisation de signaux microondes. Le premier chapitre donne un aperçu général des technologies de semi conducteurs rapides et une description plus détaillée de la technologie InP d'Alcatel Thalès III-V Lab modélisée dans ce travail de thèse. Le deuxieme chapitre donne une description est donnée pour les différentes étapes de développement de l'outil de caractérisation et son application à la modélisation électrothermique de transistors Un aspect original réside dans la caractérisation des transistors en impulsions étroites (40 ns) avec une configuration d'excitation impulsionnelle en tension collecteur en maintenant le courant de base DC. Des tests de validation de modèles tels que la mesure en DC et en impulsions étroites de miroirs de courant ainsi que des mesures de formes d'ondes temporelles RF ont été effectuées. Le troisieme chapitre montre des simulations représentatives du coeur d'une fonction d'échantillonnage blocage basée sur une structure dite d'émetteur suiveur commuté. L'objectif était de montrer les qualités générales du modèle en terme de robustesse et l'intérêt à visualiser localement des variables tensions et courants intrinsèques en même temps que des performances globales telles que la bande passante. Beaucoup de conditions de simulation ont été éprouvées, petit signal de type [S] , fort signal en équilibrage harmonique et simulations transitoires sans faire apparaître de points bloquant tels que des problèmes de convergence.