Analyse des effets dispersifs dans les transistors radiofréquences par mesures électriques

Discipline

Électronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique

Classification

Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres

radiofréquences, amplificateurs, télécommunications, radars, transistors, nitrure de Gallium (GaN), transistors HEMT

Mots-clés

Amplificateurs de puissance - Thèses et écrits académiques,

Transistors bipolaires à hétérojonctions - Thèses et écrits académiques,

Thermique - Thèses et écrits académiques,

Traitement du signal - Thèses et écrits académiques,

Mesures électriques - Thèses et écrits académiques,

Ondes kilométriques - Dispersion - Thèses et écrits académiques

Les amplificateurs de puissance (PA) sont des éléments clés des terminaux de télécommunications et de radar aux radios fréquences. Le potentiel des PA est limité par des phénomènes de dispersion. Dans ce contexte, nous intéressons à la caractérisation des phénomènes thermiques dans les transistors TBH de différentes technologies (AsGa, SiGe et InP) et la caractérisation des effets thermiques et pièges dans les transistors HEMT à base GaN (AlGaN et AlInN) en basses fréquences. Un banc de mesure des paramètres S basse fréquences [10 Hz, 40 GHz] siège des phénomènes parasites non linéaires qu'il faut prendre en compte pour pouvoir réaliser des simulations fiables, est mis en place. Une méthode précise et simple pour la mesure de l'impédance thermique de TBH réalisés avec différentes technologies a été proposée. Cette méthode s'appuie sur des mesures électriques basses fréquences. Une étude approfondie de la caractérisation des phénomènes de dispersion basse fréquences (BF) dans les transistors HEMT à base GaN a été menée. Les effets de pièges sont étudiés pour les deux technologies (AlGaN/GaN et AlInN/GaN) avec la méthode de la spectroscopie d'admittance afin de quantifier les pièges de niveaux profonds.