Films minces d'oxyde et de nitrure d'aluminium pour applications hyperfréquences : synthèse par PLD et PECVD et caractérisations

Discipline

Matériaux Céramiques et Traitements de Surface

Classification

Technologie (Sciences appliquées),

Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres

couches minces, semiconducteurs, diélectriques, piézoélectricité, dépôt sous vide, dépôt par laser pulsé, alumine

Mots-clés

Dépôt par laser pulsé - Thèses et écrits académiques,

Dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma - Thèses et écrits académiques,

Nitrure d'aluminium - Thèses et écrits académiques,

AlumineAlumine -- Thèses et écrits académiques,

Dispositifs piézoélectriques - Thèses et écrits académiques

Ce travail consiste en l'étude de couches minces d'alumine et d'AlN pour leur intégration dans des dispositifs MEMS et FBAR. Les couches d'alumine, déposées à température ambiante et à 800°C, présentent des propriétés intéressantes pour les procédés PLD et PECVD, ouvrant un grand nombre d'applications avec, pour la PECVD, un taux de dépôt plus élevé et une uniformité en épaisseur plus importante, et pour la PLD de meilleures propriétés mécaniques, optiques et diélectriques. Les conditions de dépôt de couches d'AlN hexagonal sur substrats Mo/Si ont été optimisées de façon à obtenir l'orientation (002) à la température de substrat la plus basse possible. Cette orientation est obtenue à une température de 800°C par PECVD et à une température de 200°C par PLD. Le coefficient piézoélectrique d33 des couches déposées par PLD a été mesuré entre 1,3 et 4,2 pm.V-1. La réponse piézoélectrique des couches déposées à température ambiante est due à la présence de nanoparticules d'AlN.