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Analyse et caractérisation des performances en puissance de transistors bipolaires à hétéro-jonction SiGe:C pour des applications de radiocommunications portables

Analyse et caractérisation des performances en puissance de transistors bipolaires à hétéro-jonction SiGe:C pour des applications de radiocommunications portables Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2007
auteur : Blanchet Floria
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux portent sur la caractérisation de transistors de puissance bipolaires à hétéro-jonction Si/SiGe:C, issus des fonderies de STMicroelectronics Crolles, destinés aux applications de radiocommunications mobiles. Un historique des principales évolutions technologiques du transistor bipolaire ...
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