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Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω

Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2014
auteur : Avcu Mustafa
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document porte sur le développement d’un nouveau banc de mesure pour la caractérisation de l’impédance thermique des HEMTs GaN. Le banc développé repose sur la méthode dite « 3ω » qui consiste à mesurer l’harmonique 3 d’un signal électrique véritable image des variations thermiques du composant. ...