1 ressource a été trouvée.
Affichage de
résultats par page
Attention : l'accès aux ressources peut être restreint, soit pour des raisons juridiques, soit par la volonté de l'auteur.

Potentialités des transistors HEMTs AlGaN-GaN pour l'amplification large bande de fréquence : Effets limitatifs et modélisation

Potentialités des transistors HEMTs AlGaN-GaN pour l'amplification large bande de fréquence : Effets limitatifs et modélisation Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Mouginot Guillaume
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Aujourd'hui, la conception de circuits intégrés de puissance hautes fréquences large bande est devenue un enjeu majeur pour les systèmes modernes de défense. Nous proposons dans ce manuscrit une étude du transistor HEMT GaN afin de mettre en évidence son intérêt pour ces applications. Une conception ...
Accéder au document