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Conception d'amplificateurs intégrés de puissance en technologies Silicium pour station de base de la quatrième génération des systèmes de radiocommunications cellulaires

Conception d'amplificateurs intégrés de puissance en technologies Silicium pour station de base de la quatrième génération des systèmes de radiocommunications cellulaires Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2016
auteur : Plet Sullivan
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux de recherche concernent les amplificateurs RF de puissance pour stations de base. La technologie actuelle de transistor RF la plus compétitive, le LDMOS, est confrontée à l’augmentation constante du débit et à la concurrence d’autres technologies comme le HEMT GaN. Un autre challenge est ...
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