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Thèses de doctorat
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Heckmann Sylvain
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Contribution au développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de très forte puissance en bandes L et S pour applications de télécommunications civiles et radar
Contribution au développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de très forte puissance en bandes L et S pour applications de télécommunications civiles et radar
année de soutenance
:
2003
auteur
:
Heckmann Sylvain
laboratoire
:
Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Ce travail rentre dans le contexte du développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de fortes puissances. Par rapport aux travaux déjà effectués sur ce type de composants, la nouveauté réside dans les fortes tensions de fonctionnement. Les caractérisations des phénomènes d'a ...
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