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Par auteur = Benvegnù Agostino
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Trapping and Reliability investigations in GaN-based HEMTs

Trapping and Reliability investigations in GaN-based HEMTs Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2016
auteur : Benvegnù Agostino
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs) en nitrure de gallium (GaN) s’affirment comme les candidats prometteurs pour les futurs équipements à micro-ondes - tels que les amplificateurs de puissance à état solide (SSPA), grâce à leurs excellentes performances. Une première démonstration d ...
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  • https://www.theses.fr/2016LIMO0064/abes
  • https://theses.hal.science/tel-01643704
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