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Conception d’un amplificateur de puissance SSPA et son architecture de combinaison de puissance associée destiné aux télécommunications satellitaires en bande Ka

Conception d’un amplificateur de puissance SSPA et son architecture de combinaison de puissance associée destiné aux télécommunications satellitaires en bande Ka Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2023
auteur : Hoari Mouayd
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux de thèse concernent le développement d’un amplificateur de puissance à état solide pour des applications de forte puissance destiné aux télécommunications satellitaires en bande Ka. L’amplificateur de puissance est basé sur une architecture de recombinaison radiale à faibles pertes et bo ...
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Dispositifs intégrés à très haute efficacité pour la gestion de l’énergie dans les émetteurs de télécommunications de 5ème génération (5G)

Dispositifs intégrés à très haute efficacité pour la gestion de l’énergie dans les émetteurs de télécommunications de 5ème génération (5G) Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2022
auteur : Joao Kelson Henrique
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les systèmes de télécommunications mobiles 5G sont structurés autour d’une architecture antennaire dite massive MIMO (Multiple Input Multiple Output), qui permet de connecter simultanément plusieurs utilisateurs avec à priori une meilleure qualité de connexion et une optimisation de l’énergie rayonn ...
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Nouvelles méthodes de caractérisation et de modélisation non-linéaire électrothermique des effets de piège dans la technologie HEMT GaN pour l’étude de la stabilité pulse à pulse dans les applications radar

Nouvelles méthodes de caractérisation et de modélisation non-linéaire électrothermique des effets de piège dans la technologie HEMT GaN pour l’étude de la stabilité pulse à pulse dans les applications radar Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2018
auteur : Fakhfakh Seifeddine
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : La capacité d’un émetteur radar à assurer la bonne détection des cibles mouvantes sans générer de fausses alertes dépend principalement de sa stabilité pulse à pulse qui est affectée par de nombreux facteurs tels que les effets mécaniques, thermiques et électriques. Cependant, la stabilité pulse à p ...
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Nouvelle architecture d’amplificateur de puissance fonctionnant en commutation

Nouvelle architecture d’amplificateur de puissance fonctionnant en commutation Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2017
auteur : Disserand Anthony
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : L’essor et l’évolution des systèmes de télécommunication sont liés inéluctablement à la montée en fréquence et à l’augmentation des bandes passantes des futurs systèmes d’une part, et à une place sans cesse croissante prise par l’électronique numérique dans les chaînes d’émission/réception d’autre p ...
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Caractérisation et modélisation des pièges par des mesures de dispersion basse-fréquence dans les technologies HEMT InAIN/GaN pour l'amplification de puissance en gamme millimétrique

Caractérisation et modélisation des pièges par des mesures de dispersion basse-fréquence dans les technologies HEMT InAIN/GaN pour l'amplification de puissance en gamme millimétrique Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2016
auteur : Potier Clément
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs) en Nitrure de Gallium (GaN) s’affirment aujourd’hui comme une technologie essentielle à l’amplification de puissance à haute fréquence. Les HEMTs GaN étudiées et développées reposent essentiellement sur une hétérostructure AlGaN/GaN mais une alter ...
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Pulsed I-V and RF characterization and modeling of AIGaN HEMTs and Graphene FETs

Pulsed I-V and RF characterization and modeling of AIGaN HEMTs and Graphene FETs Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2015
auteur : Nakkala Poornakarthik
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux de recherche se rapportent à l’évaluation des potentialités des transistors à base de graphène ainsi que la mise en évidence des effets dispersifs sur les transistors HEMTs en technologie Nitrure de Gallium. Les principaux résultats issus de ces travaux sont obtenus suite au développemen ...
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