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Optimisation du rendement en puissance ajoutée des amplificateurs de puissances large bande à base de Nitrure de Gallium

Optimisation du rendement en puissance ajoutée des amplificateurs de puissances large bande à base de Nitrure de Gallium Droits d'accès : non autorisé
date année de soutenance : 2013
author auteur : Berrached Chamssedine
labo laboratoire : XLIM
thematic thème : Sciences de l'ingénieur
description Description : Ces travaux traitent de l’optimisation du rendement des amplificateurs de puissance large bande fondé sur des barrettes de transistors en Nitrure de Gallium. Une méthode de conception destinée à l’optimisation du rendement des amplificateurs de puissance large bande est présentée. Elle est fondée su ...
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Système de mesures temporelles 4-canaux à échantillonnage entrelacé ultra haute fréquence basé sur des amplificateurs « Track & Hold » pour la caractérisation impulsionnelle d'amplificateurs de puissance non linéaires

Système de mesures temporelles 4-canaux à échantillonnage entrelacé ultra haute fréquence basé sur des amplificateurs « Track & Hold » pour la caractérisation impulsionnelle d'amplificateurs de puissance non linéaires Droits d'accès : non autorisé
date année de soutenance : 2012
author auteur : Ahmed Sajjad
labo laboratoire : XLIM
thematic thème : Sciences de l'ingénieur
description Description : Les communications de forte puissance, telles que celles des applications radar, sont fondées surdes modulations impulsionnelles de signaux RF. La mesure précise de ces signaux RF impulsionels est très complexe parce que leur bande passante est infinie. Pour obtenir les informations instantanées de ...
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Contribution à l'étude de l'amplification de puissance en technologie GaN par la technique de suivi d'enveloppe

Contribution à l'étude de l'amplification de puissance en technologie GaN par la technique de suivi d'enveloppe Droits d'accès : non autorisé
date année de soutenance : 2011
author auteur : Elmazova Flavie
labo laboratoire : XLIM
thematic thème : Sciences de l'ingénieur
description Description : Les travaux de cette thèse concernent l'étude de l'amplification de puissance micro-onde en technologie GaN. Un descriptif succinct des principales propriétés de ce matériau est réalisé afin de justifier le choix d'un tel candidat pour les applications de puissance hyperfréquences. L'étape suivante ...
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Méthode d'encapsulation optimale d'une technologie HEMT GaN pour la conception d'amplificateurs large bande à forte puissance et haut rendement destinés aux applications radars en bande S

Méthode d'encapsulation optimale d'une technologie HEMT GaN pour la conception d'amplificateurs large bande à forte puissance et haut rendement destinés aux applications radars en bande S Droits d'accès : non autorisé
date année de soutenance : 2011
author auteur : Chéron Jérôme
labo laboratoire : XLIM
thematic thème : Sciences de l'ingénieur
description Description : Les applications radars requièrent aujourd'hui des performances très importantes en termes de puissance émise, de rendement et de bande passante, afin de réduire les coûts et l'encombrement des systèmes radars. Le transistor HEMT GaN est la technologie de puissance qui répond le plus favorablement a ...
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Développement d'un Banc de Caractérisation Fonctionnelle Large Bande (Porteuses et Enveloppes) dans le Domaine Temporel de Dispositifs non linéaires microondes

Développement d'un Banc de Caractérisation Fonctionnelle Large Bande (Porteuses et Enveloppes) dans le Domaine Temporel de Dispositifs non linéaires microondes Droits d'accès : non autorisé
date année de soutenance : 2009
author auteur : Abou Chahine Mouhamad
labo laboratoire : XLIM
thematic thème : Sciences de l'ingénieur
description Description : Face à l'explosion du trafic des télécommunications numériques et leurs volumes d'informations associés à transmettre, les bandes passantes nécessaires pour satisfaire aux contraintes de débit deviennent de plus en plus larges. Les formats de modulations deviennent eux aussi de plus en plus complexe ...
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Analyse et caractérisation des performances en puissance de transistors bipolaires à hétéro-jonction SiGe:C pour des applications de radiocommunications portables

Analyse et caractérisation des performances en puissance de transistors bipolaires à hétéro-jonction SiGe:C pour des applications de radiocommunications portables Droits d'accès : non autorisé
date année de soutenance : 2007
author auteur : Blanchet Floria
labo laboratoire : XLIM
thematic thème : Sciences de l'ingénieur
description Description : Ces travaux portent sur la caractérisation de transistors de puissance bipolaires à hétéro-jonction Si/SiGe:C, issus des fonderies de STMicroelectronics Crolles, destinés aux applications de radiocommunications mobiles. Un historique des principales évolutions technologiques du transistor bipolaire ...
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Contribution à la caractérisation temporelle de dispositifs micro-ondes non-linéaires : application à des signaux de type multiporteuse large bande

Contribution à la caractérisation temporelle de dispositifs micro-ondes non-linéaires : application à des signaux de type multiporteuse large bande Droits d'accès : non autorisé
date année de soutenance : 2006
author auteur : El Yaagoubi Mohammed
labo laboratoire : XLIM
thematic thème : Sciences de l'ingénieur
description Description : Ce travail concerne la caractérisation temporelle de dispositifs non-linéaires lorsqu'ils sont excités par des signaux de type multiporteuse large bande. L'objectif est de développer une configuration originale du système de mesure du LSNA (Large Signal Network Analyzer) permettant la souplesse d'ut ...
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Analyse et développement de la caractérisation en puissance, rendement et linéarité de transistors de puissance en mode impulsionnel

Analyse et développement de la caractérisation en puissance, rendement et linéarité de transistors de puissance en mode impulsionnel Droits d'accès : non autorisé
date année de soutenance : 2006
author auteur : Bousbia Hind
labo laboratoire : XLIM
thematic thème : Sciences de l'ingénieur
description Description : Il est aujourd'hui admis que les semi-conducteurs à large bande interdite vont permettre de repousser les frontières atteintes à ce jour dans le domaine de la génération de puissance hyperfréquence. L'analyse des principaux critères technologiques (physiques et électriques) des matériaux grands gap, ...
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Développement d'un système de mesure temporel d'enveloppe de dispositifs non linéaires microondes

Développement d'un système de mesure temporel d'enveloppe de dispositifs non linéaires microondes Droits d'accès : non autorisé
date année de soutenance : 2005
author auteur : Macraigne François
labo laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thematic thème : Sciences de l'ingénieur
description Description : Ce travail concerne le développement matériel et logiciel d'un banc de caractérisation temporelle d'enveloppe de dispositifs RF de puissance. Ce banc de mesure calibré vectoriellement a été développé afin de générer et de mesurer les enveloppes complexes associées à des signaux modulés RF aux accès ...
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