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Contribution au développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de très forte puissance en bandes L et S pour applications de télécommunications civiles et radar

Contribution au développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de très forte puissance en bandes L et S pour applications de télécommunications civiles et radar Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2003
auteur : Heckmann Sylvain
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail rentre dans le contexte du développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de fortes puissances. Par rapport aux travaux déjà effectués sur ce type de composants, la nouveauté réside dans les fortes tensions de fonctionnement. Les caractérisations des phénomènes d'a ...
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