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Amélioration de modèles électroniques de composants de puissance de type TBH ou pHEMT et application à la conception optimale de modules actifs pour les radars

Amélioration de modèles électroniques de composants de puissance de type TBH ou pHEMT et application à la conception optimale de modules actifs pour les radars Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2004
auteur : Chang Christophe
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : L'objectif de ce travail est le développement d'un outil opérationnel intégrant un modèle électrothermique dans un environnement de simulation circuit. Afin de le rendre utilisable dans un contexte industriel, cet outil se base sur deux logiciels commerciaux : un simulateur thermique (ANSYS) et un s ...
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Techniques de réduction d'ordre des modèles de circuits haute fréquence faiblement non linéaire

Techniques de réduction d'ordre des modèles de circuits haute fréquence faiblement non linéaire Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2003
auteur : Casas Francisco Javier
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Le travail présenté dans ce mémoire concerne la modélisation système des circuits conformant têtes d'émission et réception de télécommunications. Le premier chapitre sert à mettre en évidence le besoin des modèles réduits, capables de caractériser de forme précise le comportement des circuits et sys ...
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Modélisation électrothermique de transistors MESFET SiC et optimisation d'une architecture Doherty pour l'amplification de puissance à haut rendement

Modélisation électrothermique de transistors MESFET SiC et optimisation d'une architecture Doherty pour l'amplification de puissance à haut rendement Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2003
auteur : Dubuc Nicolas
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Dans un premier temps, une description technologique du Carbure de Silicium et le développement d'un modèle physique analytique electrothermique de transistors MESFET SiC a été effectué. Ce modèle permet de prendre en compte les paramètres physiques, géométriques et l'état thermique du composant. Il ...
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Construction de Turbo Codes courts possédant de bonnes propriétés de distance minimale

Construction de Turbo Codes courts possédant de bonnes propriétés de distance minimale Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2003
auteur : Cadic Emmanuel
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : L'objectif de cette thèse est de réaliser des turbo codes possédant de bonnes distances minimales et de contribuer ainsi à repousser le phénomène ``d'error floor'' qui correspond à un seuil de l'ordre de 10⁻⁶ pour le taux d'erreur résiduelles binaires en dessous duquel la pente de la courbe de TEB d ...
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Gestion dynamique de la génération de puissance en hyperfréquence pour des modulations numériques : Applications à l'optimisation des performances d'un amplificateur millimétrique

Gestion dynamique de la génération de puissance en hyperfréquence pour des modulations numériques : Applications à l'optimisation des performances d'un amplificateur millimétrique Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2003
auteur : Forestier Stéphane
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les travaux présentés dans ce mémoire concernent dans un premier temps, l'étude des phénomènes de distorsion engendrés par la partie amplificatrice lors de l 'émission d'un signal. La recherche menée permet de modéliser et de caractériser ces phénomènes non-linéaires dans le cas d'un transistor P-PH ...
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