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Optimisation des potentialités d'un transistor LDMOS pour l'intégration d'amplificateur de puissance RF sur silicium

Optimisation des potentialités d'un transistor LDMOS pour l'intégration d'amplificateur de puissance RF sur silicium Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Muller Dorothée
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les amplificateurs de puissance RF réalisés à partir de composants issus des technologies III-V sont actuellement les plus performants du fait de leurs propriétés physique intrinsèques. Malgré cela ces technologies ne répondent pas complètement aux exigences du marché de la radiotéléphonie mobile en ...
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Plate-forme SCILAB de simulation intégrée circuits/composants

Plate-forme SCILAB de simulation intégrée circuits/composants Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2005
auteur : Riah Zoheir
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Le travail présenté dans ce mémoire concerne le développement d'une plate-forme de simulation globale développée autour de l'environnement Scilab intégrant un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction et la simulation circuit. Le premier chapitre présente les différents types de simul ...
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