Aurore | Thèses de doctorat > Par directeur de thèse

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Caractérisation en impulsions étroites et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction en technologie InP

2009

Saleh Alaa

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Les travaux décrits dans ce mémoire de thèse ont montré une contribution à la caractérisation et à modélisation de technologie de semi conducteurs rapide dans un contexte général d'échantillonnage large bande pour viser des applications de numérisation de signaux microondes. Le premier chapitre donn ...

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Développement d'un système de caractérisation temporelle d'enveloppe d'amplificateurs de puissance : application à la linéarisation d'amplificateurs par prédistorsion en bande de base

2008

Nanfack Nkondem Grégoire

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Dans les nouvelles générations de systèmes de télécommunication (WCDMA, CDMA200, EDGE...) où les formats de modulation à meilleure efficacité spectrale sont utilisés, la linéarité de l'amplificateur de puissance est un point critique. Par ailleurs l'amplificateur de puissance est l'un des composants ...

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Analyse et caractérisation des performances en puissance de transistors bipolaires à hétéro-jonction SiGe:C pour des applications de radiocommunications portables

2007

Blanchet Floria

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ces travaux portent sur la caractérisation de transistors de puissance bipolaires à hétéro-jonction Si/SiGe:C, issus des fonderies de STMicroelectronics Crolles, destinés aux applications de radiocommunications mobiles. Un historique des principales évolutions technologiques du transistor bipolaire ...

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Contribution à la caractérisation temporelle de dispositifs micro-ondes non-linéaires : application à des signaux de type multiporteuse large bande

2006

El Yaagoubi Mohammed

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce travail concerne la caractérisation temporelle de dispositifs non-linéaires lorsqu'ils sont excités par des signaux de type multiporteuse large bande. L'objectif est de développer une configuration originale du système de mesure du LSNA (Large Signal Network Analyzer) permettant la souplesse d'ut ...

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Analyse et développement de la caractérisation en puissance, rendement et linéarité de transistors de puissance en mode impulsionnel

2006

Bousbia Hind

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Il est aujourd'hui admis que les semi-conducteurs à large bande interdite vont permettre de repousser les frontières atteintes à ce jour dans le domaine de la génération de puissance hyperfréquence. L'analyse des principaux critères technologiques (physiques et électriques) des matériaux grands gap, ...

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Modélisation de transistor de puissance en technologie GaN : conception d'un amplificateur de type Doherty pour les émetteurs à puissance adaptative

2006

Lagarde Cyril

XLIM

Sciences de l'ingénieur

L'avènement des technologies de transistors de puissance sur matériaux "grand gap" tels que le Nitrure de Gallium (GaN) permet d'envisager un saut technologique majeur pour la génération de puissance à l'état solide. Cette nouvelle technologie présente des possibilités intéressantes pour des amplifi ...

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Développement d'un système de mesure temporel d'enveloppe de dispositifs non linéaires microondes

2005

Macraigne François

Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes

Sciences de l'ingénieur

Ce travail concerne le développement matériel et logiciel d'un banc de caractérisation temporelle d'enveloppe de dispositifs RF de puissance. Ce banc de mesure calibré vectoriellement a été développé afin de générer et de mesurer les enveloppes complexes associées à des signaux modulés RF aux accès ...

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Modélisation comportementale d'amplificateurs à mémoire pour des applications à large bande utilisées dans les systèmes de télécommunications et les systèmes RADARs

2004

Mazière Christophe

Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes

Sciences de l'ingénieur

Ce travail concerne la technique de modélisation comportementale adoptée pour les amplificateurs des terminaisons RF des systèmes de communication. L'objectif de la méthode de modélisation proposée est de caractériser et d'intégrer efficacement les effets de mémoire non linéaires des amplificateurs ...

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Caractérisation non linéaire avancée de transistors de puissance pour la validation de leur modèle CAO

2003

Gasseling Tony

Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes

Sciences de l'ingénieur

Le travail présenté dans ce mémoire propose une contribution à la conception optimisée d'amplificateurs de puissance par l'utilisation de plusieurs caractérisations fonctionnelles. Celles ci sont réalisées aux premiers stades de la conception, au niveau du transistor en environnement source et load ...

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Contribution au développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de très forte puissance en bandes L et S pour applications de télécommunications civiles et radar

2003

Heckmann Sylvain

Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes

Sciences de l'ingénieur

Ce travail rentre dans le contexte du développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de fortes puissances. Par rapport aux travaux déjà effectués sur ce type de composants, la nouveauté réside dans les fortes tensions de fonctionnement. Les caractérisations des phénomènes d'a ...

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