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Développement d'un Banc de Caractérisation Fonctionnelle Large Bande (Porteuses et Enveloppes) dans le Domaine Temporel de Dispositifs non linéaires microondes

Développement d'un Banc de Caractérisation Fonctionnelle Large Bande (Porteuses et Enveloppes) dans le Domaine Temporel de Dispositifs non linéaires microondes Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2009
auteur : Abou Chahine Mouhamad
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Face à l'explosion du trafic des télécommunications numériques et leurs volumes d'informations associés à transmettre, les bandes passantes nécessaires pour satisfaire aux contraintes de débit deviennent de plus en plus larges. Les formats de modulations deviennent eux aussi de plus en plus complexe ...
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Caractérisation en impulsions étroites et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction en technologie InP

Caractérisation en impulsions étroites et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction en technologie InP Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2009
auteur : Saleh Alaa
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les travaux décrits dans ce mémoire de thèse ont montré une contribution à la caractérisation et à modélisation de technologie de semi conducteurs rapide dans un contexte général d'échantillonnage large bande pour viser des applications de numérisation de signaux microondes. Le premier chapitre donn ...
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Développement d'un système de caractérisation temporelle d'enveloppe d'amplificateurs de puissance : application à la linéarisation d'amplificateurs par prédistorsion en bande de base

Développement d'un système de caractérisation temporelle d'enveloppe d'amplificateurs de puissance : application à la linéarisation d'amplificateurs par prédistorsion en bande de base Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2008
auteur : Nanfack Nkondem Grégoire
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Dans les nouvelles générations de systèmes de télécommunication (WCDMA, CDMA200, EDGE...) où les formats de modulation à meilleure efficacité spectrale sont utilisés, la linéarité de l'amplificateur de puissance est un point critique. Par ailleurs l'amplificateur de puissance est l'un des composants ...
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Analyse et caractérisation des performances en puissance de transistors bipolaires à hétéro-jonction SiGe:C pour des applications de radiocommunications portables

Analyse et caractérisation des performances en puissance de transistors bipolaires à hétéro-jonction SiGe:C pour des applications de radiocommunications portables Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2007
auteur : Blanchet Floria
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux portent sur la caractérisation de transistors de puissance bipolaires à hétéro-jonction Si/SiGe:C, issus des fonderies de STMicroelectronics Crolles, destinés aux applications de radiocommunications mobiles. Un historique des principales évolutions technologiques du transistor bipolaire ...
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Contribution à la caractérisation temporelle de dispositifs micro-ondes non-linéaires : application à des signaux de type multiporteuse large bande

Contribution à la caractérisation temporelle de dispositifs micro-ondes non-linéaires : application à des signaux de type multiporteuse large bande Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : El Yaagoubi Mohammed
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail concerne la caractérisation temporelle de dispositifs non-linéaires lorsqu'ils sont excités par des signaux de type multiporteuse large bande. L'objectif est de développer une configuration originale du système de mesure du LSNA (Large Signal Network Analyzer) permettant la souplesse d'ut ...
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Analyse et développement de la caractérisation en puissance, rendement et linéarité de transistors de puissance en mode impulsionnel

Analyse et développement de la caractérisation en puissance, rendement et linéarité de transistors de puissance en mode impulsionnel Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Bousbia Hind
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Il est aujourd'hui admis que les semi-conducteurs à large bande interdite vont permettre de repousser les frontières atteintes à ce jour dans le domaine de la génération de puissance hyperfréquence. L'analyse des principaux critères technologiques (physiques et électriques) des matériaux grands gap, ...
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Modélisation de transistor de puissance en technologie GaN : conception d'un amplificateur de type Doherty pour les émetteurs à puissance adaptative

Modélisation de transistor de puissance en technologie GaN : conception d'un amplificateur de type Doherty pour les émetteurs à puissance adaptative Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Lagarde Cyril
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : L'avènement des technologies de transistors de puissance sur matériaux "grand gap" tels que le Nitrure de Gallium (GaN) permet d'envisager un saut technologique majeur pour la génération de puissance à l'état solide. Cette nouvelle technologie présente des possibilités intéressantes pour des amplifi ...
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Développement d'un système de mesure temporel d'enveloppe de dispositifs non linéaires microondes

Développement d'un système de mesure temporel d'enveloppe de dispositifs non linéaires microondes Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2005
auteur : Macraigne François
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail concerne le développement matériel et logiciel d'un banc de caractérisation temporelle d'enveloppe de dispositifs RF de puissance. Ce banc de mesure calibré vectoriellement a été développé afin de générer et de mesurer les enveloppes complexes associées à des signaux modulés RF aux accès ...
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Modélisation comportementale d'amplificateurs à mémoire pour des applications à large bande utilisées dans les systèmes de télécommunications et les systèmes RADARs

Modélisation comportementale d'amplificateurs à mémoire pour des applications à large bande utilisées dans les systèmes de télécommunications et les systèmes RADARs Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2004
auteur : Mazière Christophe
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail concerne la technique de modélisation comportementale adoptée pour les amplificateurs des terminaisons RF des systèmes de communication. L'objectif de la méthode de modélisation proposée est de caractériser et d'intégrer efficacement les effets de mémoire non linéaires des amplificateurs ...
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Caractérisation non linéaire avancée de transistors de puissance pour la validation de leur modèle CAO

Caractérisation non linéaire avancée de transistors de puissance pour la validation de leur modèle CAO Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2003
auteur : Gasseling Tony
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Le travail présenté dans ce mémoire propose une contribution à la conception optimisée d'amplificateurs de puissance par l'utilisation de plusieurs caractérisations fonctionnelles. Celles ci sont réalisées aux premiers stades de la conception, au niveau du transistor en environnement source et load ...
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