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Conception d’un amplificateur haut rendement à modulation de charge active en technologie GaN pour application à la radionavigation par satellite

Conception d’un amplificateur haut rendement à modulation de charge active en technologie GaN pour application à la radionavigation par satellite Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2021
auteur : Portelance Morgane
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les applications de radio-navigation européenne , notamment au travers de la constellation de satellites Galileo, s’encrent dans une optique différente dans le registre de la conception des amplificateurs de puissance. Contrairement aux applications pour des satellites de télécommunication, le critè ...

Architecture d'amplificateur de puissance linéaire et à haut rendement en technologie GaN de type Doherty numérique

Architecture d'amplificateur de puissance linéaire et à haut rendement en technologie GaN de type Doherty numérique Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2019
auteur : Courty Alexis
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les fortes capacités actuelles et envisagées des futurs liens satellites de communication pour la 5G conduisent les signaux traités dans les charges utiles à présenter simultanément d'importantes variations d'amplitude (PAPR>10dB) et de très larges bandes passantes instantanées (BW>1GHz). A l'intéri ...

Caractérisation et Modélisation de structures MASMOS en vue de la conception d'un amplificateur de puissance pour la LTE

Caractérisation et Modélisation de structures MASMOS en vue de la conception d'un amplificateur de puissance pour la LTE Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2018
auteur : Simbelie Frédérique
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Le principal objectif de ce travail est la caractérisation et la modélisation d’un nouveau composant le MASMOS conçu et breveté par la société ACCO. Cette nouvelle structure répond au problème des faibles tensions de claquage inhérent à la technologie CMOS. Le premier chapitre décrit les deux transi ...