Aurore | Thèses de doctorat > Par directeur de thèse

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Développement d’un banc de mesure par thermoreflectance pour les composants de puissance

2022

Jakani Anass

XLIM

Sciences de l'ingénieur

La forte demande de l'industrie électronique en termes de niveaux de puissance et de fréquences élevées a fortement encouragé le développement de la technologie des transistors HEMT en nitrure de gallium (GaN). Cependant, malgré les efforts accomplis sur d’optimisation thermique de ces composants pa ...

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Approche duale de modélisation TCAD et de caractérisations électriques approfondies pour la détermination de la signature et de la localisation des pièges dans les HEMT GaN sur substrat SiC

2020

Bouslama Mohamed

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Les HEMT à base du GaN ont déjà démontré leur potentialité pour toutes les applications forte puissance et haute fréquence. Cependant, cette technologie souffre de limitations dues notamment à un mécanisme complexe de piégeage/dépiégeage de charges qui se produit dans le composant et reste encore au ...

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Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω

2014

Avcu Mustafa

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce document porte sur le développement d’un nouveau banc de mesure pour la caractérisation de l’impédance thermique des HEMTs GaN. Le banc développé repose sur la méthode dite « 3ω » qui consiste à mesurer l’harmonique 3 d’un signal électrique véritable image des variations thermiques du composant. ...

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Conception, modélisation et caractérisation de cellules de puissance innovantes en technologie MMIC pour des applications spatiales

2012

Déchansiaud Adeline

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce document montre comment améliorer la compacité des amplificateurs de puissance en bande Ku utilisés dans les systémes VSAT en proposant une nouvelle topologie de cellule de puissance élémentaire appelée ≪ cascode intégré ≫. La cellule active est constituée de deux transistors MMIC fabriqués avec ...

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Modélisation électrothermique comportementale d'amplicateurs de puissance microondes pour les applications Radars à bande étroite

2012

Besombes Florent

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce travail de thèse concerne le développement d'un modèle électrothermique comportemental d'amplificateur de puissance RF prenant en compte l'effet load-pull pour des applications de radar à bande étroite. Une extension des paramètres S fort signal est proposée pour modéliser des fortes conditions d ...

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Potentialités des transistors HEMTs AlGaN-GaN pour l'amplification large bande de fréquence : Effets limitatifs et modélisation

2011

Mouginot Guillaume

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Aujourd'hui, la conception de circuits intégrés de puissance hautes fréquences large bande est devenue un enjeu majeur pour les systèmes modernes de défense. Nous proposons dans ce manuscrit une étude du transistor HEMT GaN afin de mettre en évidence son intérêt pour ces applications. Une conception ...

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Contribution à la modélisation non-linéaire de transistors de puissance HEMT pseudomorphiques sur substrat AsGa : analyse des effets parasites

2008

Teyssandier Charles

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Le principal objectif de ce travail est la modélisation précise d'une filière de transistor PHEMTs fabriquées à UMS. Notre modèle se base sur une démarche de caractérisation complète et il est facilement intégrable dans les simulateurs de circuit CAO afin de le rendre utilisable dans un contexte ind ...

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Modélisation électrothermique comportementale dynamique d'amplificateurs de puissance microondes pour les applications radars

2007

Mazeau Julie

XLIM

Sciences de l'ingénieur

La génération de forte densité de puissance microonde au sein des amplificateurs de puissance exige la prédiction de la distorsion des signaux induite par les effets d'autoéchauffement. Dans ce cadre, un nouveau modèle électrothermique comportemental d'amplificateurs de puissance a été développé pou ...

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Analyse des phénomènes physiques dans les diodes p-i-n : contribution à la modélisation électrothermique pour les applications de puissance RF et hyperfréquences

2006

Gatard Emmanuel

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Les diodes p-i-n sont largement utilisées dans les applications RF et hyperfréquences telles que les déphaseurs, commutateurs, atténuateurs et limiteurs. L'évaluation précise des grandeurs électriques aux accès du composant, l'étude de la fiabilité et des effets thermiques passent aujourd'hui par le ...

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Optimisation des potentialités d'un transistor LDMOS pour l'intégration d'amplificateur de puissance RF sur silicium

2006

Muller Dorothée

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Les amplificateurs de puissance RF réalisés à partir de composants issus des technologies III-V sont actuellement les plus performants du fait de leurs propriétés physique intrinsèques. Malgré cela ces technologies ne répondent pas complètement aux exigences du marché de la radiotéléphonie mobile en ...

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