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Mesures et modélisations multi-physiques des dispositifs GaN pour la co-intégration SiP en technologie FOWLP

Mesures et modélisations multi-physiques des dispositifs GaN pour la co-intégration SiP en technologie FOWLP Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2024
auteur : Kakou Luc Arnaud N'Doua
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Cette thèse, en lien avec le projet SMART3 du plan nano 2022, a pour but d’évaluer et de développer de nouvelles technologies de packaging 2D et 3D pour répondre à l’intégration hétérogène de différentes technologies de semi-conducteurs (GaN, AsGa, Si, …) afin de concevoir des systèmes entièrement i ...
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Développement d’un banc de mesure par thermoreflectance pour les composants de puissance

Développement d’un banc de mesure par thermoreflectance pour les composants de puissance Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2022
auteur : Jakani Anass
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : La forte demande de l'industrie électronique en termes de niveaux de puissance et de fréquences élevées a fortement encouragé le développement de la technologie des transistors HEMT en nitrure de gallium (GaN). Cependant, malgré les efforts accomplis sur d’optimisation thermique de ces composants pa ...
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Approche duale de modélisation TCAD et de caractérisations électriques approfondies pour la détermination de la signature et de la localisation des pièges dans les HEMT GaN sur substrat SiC

Approche duale de modélisation TCAD et de caractérisations électriques approfondies pour la détermination de la signature et de la localisation des pièges dans les HEMT GaN sur substrat SiC Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2020
auteur : Bouslama Mohamed
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les HEMT à base du GaN ont déjà démontré leur potentialité pour toutes les applications forte puissance et haute fréquence. Cependant, cette technologie souffre de limitations dues notamment à un mécanisme complexe de piégeage/dépiégeage de charges qui se produit dans le composant et reste encore au ...
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Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω

Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2014
auteur : Avcu Mustafa
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document porte sur le développement d’un nouveau banc de mesure pour la caractérisation de l’impédance thermique des HEMTs GaN. Le banc développé repose sur la méthode dite « 3ω » qui consiste à mesurer l’harmonique 3 d’un signal électrique véritable image des variations thermiques du composant. ...
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Conception, modélisation et caractérisation de cellules de puissance innovantes en technologie MMIC pour des applications spatiales

Conception, modélisation et caractérisation de cellules de puissance innovantes en technologie MMIC pour des applications spatiales Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2012
auteur : Déchansiaud Adeline
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document montre comment améliorer la compacité des amplificateurs de puissance en bande Ku utilisés dans les systémes VSAT en proposant une nouvelle topologie de cellule de puissance élémentaire appelée ≪ cascode intégré ≫. La cellule active est constituée de deux transistors MMIC fabriqués avec ...
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Modélisation électrothermique comportementale d'amplicateurs de puissance microondes pour les applications Radars à bande étroite

Modélisation électrothermique comportementale d'amplicateurs de puissance microondes pour les applications Radars à bande étroite Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2012
auteur : Besombes Florent
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail de thèse concerne le développement d'un modèle électrothermique comportemental d'amplificateur de puissance RF prenant en compte l'effet load-pull pour des applications de radar à bande étroite. Une extension des paramètres S fort signal est proposée pour modéliser des fortes conditions d ...
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Potentialités des transistors HEMTs AlGaN-GaN pour l'amplification large bande de fréquence : Effets limitatifs et modélisation

Potentialités des transistors HEMTs AlGaN-GaN pour l'amplification large bande de fréquence : Effets limitatifs et modélisation Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Mouginot Guillaume
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Aujourd'hui, la conception de circuits intégrés de puissance hautes fréquences large bande est devenue un enjeu majeur pour les systèmes modernes de défense. Nous proposons dans ce manuscrit une étude du transistor HEMT GaN afin de mettre en évidence son intérêt pour ces applications. Une conception ...
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Contribution à la modélisation non-linéaire de transistors de puissance HEMT pseudomorphiques sur substrat AsGa : analyse des effets parasites

Contribution à la modélisation non-linéaire de transistors de puissance HEMT pseudomorphiques sur substrat AsGa : analyse des effets parasites Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2008
auteur : Teyssandier Charles
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Le principal objectif de ce travail est la modélisation précise d'une filière de transistor PHEMTs fabriquées à UMS. Notre modèle se base sur une démarche de caractérisation complète et il est facilement intégrable dans les simulateurs de circuit CAO afin de le rendre utilisable dans un contexte ind ...
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Modélisation électrothermique comportementale dynamique d'amplificateurs de puissance microondes pour les applications radars

Modélisation électrothermique comportementale dynamique d'amplificateurs de puissance microondes pour les applications radars Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2007
auteur : Mazeau Julie
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : La génération de forte densité de puissance microonde au sein des amplificateurs de puissance exige la prédiction de la distorsion des signaux induite par les effets d'autoéchauffement. Dans ce cadre, un nouveau modèle électrothermique comportemental d'amplificateurs de puissance a été développé pou ...
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Analyse des phénomènes physiques dans les diodes p-i-n : contribution à la modélisation électrothermique pour les applications de puissance RF et hyperfréquences

Analyse des phénomènes physiques dans les diodes p-i-n : contribution à la modélisation électrothermique pour les applications de puissance RF et hyperfréquences Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Gatard Emmanuel
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les diodes p-i-n sont largement utilisées dans les applications RF et hyperfréquences telles que les déphaseurs, commutateurs, atténuateurs et limiteurs. L'évaluation précise des grandeurs électriques aux accès du composant, l'étude de la fiabilité et des effets thermiques passent aujourd'hui par le ...
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